公开(公告)号：US08011697B2

公开(公告)日：2011-09-06

申请号：US11850607

申请日：2007-09-05

申请人： Jesse Adams ,  Steven Malekos ,  Grant Korgan ,  Al Brandano

发明人： Jesse Adams ,  Steven Malekos ,  Grant Korgan ,  Al Brandano

IPC分类号： B42D15/00 ,  B42D15/10

CPC分类号： B42D25/328 ,  A44C15/004 ,  B42D2035/08 ,  B42D2035/24 ,  B42D2035/44 ,  B44C1/227 ,  Y10S283/901

摘要： Described herein are various embodiments of imagery or items comprising imagery using semiconductor processing or fabrication techniques and methods of using such techniques to make imagery. For example, according to one embodiment, a method of making imagery having nano-scale or micro-scale portions can include providing a silicon wafer, coating the silicon wafer with a layer of oxide, depositing a layer of photoresist onto the oxide layer, and removing a patterned portion of the photoresist to expose a patterned portion of the oxide layer. The method can also include removing at least some of the patterned portion of the oxide such that the patterned portion of the oxide layer has a predetermined thickness resulting in a predetermined viewable color. The patterned portion of the oxide layer can define at least one of the nano-scale or micro-scale portions.

摘要翻译： 这里描述的是包括使用半导体处理的图像或制造技术的图像或物品的各种实施例以及使用这些技术来制作图像的方法。 例如，根据一个实施例，制造具有纳米尺度或微尺度部分的图像的方法可以包括提供硅晶片，用氧化层涂覆硅晶片，在氧化物层上沉积光致抗蚀剂层，以及 去除光致抗蚀剂的图案部分以暴露氧化物层的图案化部分。 该方法还可以包括去除氧化物的图案化部分中的至少一些，使得氧化物层的图案化部分具有预定的厚度，从而获得预定的可见颜色。 氧化物层的图案化部分可以限定纳米尺度或微尺度部分中的至少一个。

公开(公告)号：US20110316270A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：US13226132

申请日：2011-09-06

申请人： Jesse Adams ,  Steven Malekos ,  Grant Korgan ,  Al Brandano

发明人： Jesse Adams ,  Steven Malekos ,  Grant Korgan ,  Al Brandano

IPC分类号： B42D15/00 ,  B05D5/06 ,  B05D5/00 ,  B05D1/32 ,  C23F1/02

CPC分类号： B42D25/328 ,  A44C15/004 ,  B42D2035/08 ,  B42D2035/24 ,  B42D2035/44 ,  B44C1/227 ,  Y10S283/901

摘要： Described herein are various embodiments of imagery or items comprising imagery using semiconductor processing or fabrication techniques and methods of using such techniques to make imagery. For example, according to one embodiment, a method of making imagery having nano-scale or micro-scale portions can include providing a silicon wafer, coating the silicon wafer with a layer of oxide, depositing a layer of photoresist onto the oxide layer, and removing a patterned portion of the photoresist to expose a patterned portion of the oxide layer. The method can also include removing at least some of the patterned portion of the oxide such that the patterned portion of the oxide layer has a predetermined thickness resulting in a predetermined viewable color. The patterned portion of the oxide layer can define at least one of the nano-scale or micro-scale portions.

摘要翻译： 这里描述的是包括使用半导体处理的图像或制造技术的图像或物品的各种实施例以及使用这些技术来制作图像的方法。 例如，根据一个实施例，制造具有纳米尺度或微尺度部分的图像的方法可以包括提供硅晶片，用氧化层涂覆硅晶片，在氧化物层上沉积光致抗蚀剂层，以及 去除光致抗蚀剂的图案部分以暴露氧化物层的图案化部分。 该方法还可以包括去除氧化物的图案化部分中的至少一些，使得氧化物层的图案化部分具有预定的厚度，从而获得预定的可见颜色。 氧化物层的图案化部分可以限定纳米尺度或微尺度部分中的至少一个。

公开(公告)号：US20080054624A1

公开(公告)日：2008-03-06

申请号：US11850607

申请日：2007-09-05

申请人： Jesse Adams ,  Steve Malekos ,  Grant Korgan ,  Al Brandano

发明人： Jesse Adams ,  Steve Malekos ,  Grant Korgan ,  Al Brandano

IPC分类号： B41M3/00 ,  B42D15/10

CPC分类号： B42D25/328 ,  A44C15/004 ,  B42D2035/08 ,  B42D2035/24 ,  B42D2035/44 ,  B44C1/227 ,  Y10S283/901

摘要： Described herein are various embodiments of imagery or items comprising imagery using semiconductor processing or fabrication techniques and methods of using such techniques to make imagery. For example, according to one embodiment, a method of making imagery having nano-scale or micro-scale portions can include providing a silicon wafer, coating the silicon wafer with a layer of oxide, depositing a layer of photoresist onto the oxide layer, and removing a patterned portion of the photoresist to expose a patterned portion of the oxide layer. The method can also include removing at least some of the patterned portion of the oxide such that the patterned portion of the oxide layer has a predetermined thickness resulting in a predetermined viewable color. The patterned portion of the oxide layer can define at least one of the nano-scale or micro-scale portions.

摘要翻译： 这里描述的是包括使用半导体处理的图像或制造技术的图像或物品的各种实施例以及使用这些技术来制作图像的方法。 例如，根据一个实施例，制造具有纳米尺度或微尺度部分的图像的方法可以包括提供硅晶片，用氧化层涂覆硅晶片，在氧化物层上沉积光致抗蚀剂层，以及 去除光致抗蚀剂的图案部分以暴露氧化物层的图案化部分。 该方法还可以包括去除氧化物的图案化部分中的至少一些，使得氧化物层的图案化部分具有预定的厚度，从而获得预定的可见颜色。 氧化物层的图案化部分可以限定纳米尺度或微尺度部分中的至少一个。