公开(公告)号：US20090032803A1

公开(公告)日：2009-02-05

申请号：US12164690

申请日：2008-06-30

申请人： Joerg Appenzeller ,  Phaedon Avouris ,  Yu-Ming Lin

发明人： Joerg Appenzeller ,  Phaedon Avouris ,  Yu-Ming Lin

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  Y10S977/721

摘要： A method of fabricating a nanotube field-effect transistor having unipolar characteristics and a small inverse sub-threshold slope includes forming a local gate electrode beneath the nanotube between drain and source electrodes of the transistor and doping portions of the nanotube. In a further embodiment, the method includes forming at least one trench in the gate dielectric (e.g., a back gate dielectric) and back gate adjacent to the local gate electrode. Another aspect of the invention is a nanotube field-effect transistor fabricated using such a method.

摘要翻译： 一种制造具有单极特性和小的反向亚阈值斜率的纳米管场效应晶体管的方法包括在晶体管的漏极和源极之间的纳米管下面形成局部栅电极，并掺杂纳米管的部分。 在另一实施例中，该方法包括在栅极电介质（例如，背栅极电介质）中形成至少一个沟槽和邻近局部栅电极的后栅极。 本发明的另一方面是使用这种方法制造的纳米管场效应晶体管。

公开(公告)号：US20060255414A1

公开(公告)日：2006-11-16

申请号：US11130313

申请日：2005-05-16

申请人： Joerg Appenzeller ,  Phaedon Avouris ,  Yu-Ming Lin

发明人： Joerg Appenzeller ,  Phaedon Avouris ,  Yu-Ming Lin

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  Y10S977/721

摘要： A method of fabricating a nanotube field-effect transistor having unipolar characteristics and a small inverse sub-threshold slope includes forming a local gate electrode beneath the nanotube between drain and source electrodes of the transistor and doping portions of the nanotube. In a further embodiment, the method includes forming at least one trench in the gate dielectric (e.g., a back gate dielectric) and back gate adjacent to the local gate electrode. Another aspect of the invention is a nanotube field-effect transistor fabricated using such a method.

摘要翻译： 一种制造具有单极特性和小的反向亚阈值斜率的纳米管场效应晶体管的方法包括在晶体管的漏极和源极之间的纳米管下面形成局部栅电极，并掺杂纳米管的部分。 在另一实施例中，该方法包括在栅极电介质（例如，背栅极电介质）中形成至少一个沟槽和邻近局部栅电极的后栅极。 本发明的另一方面是使用这种方法制造的纳米管场效应晶体管。

公开(公告)号：US07482232B2

公开(公告)日：2009-01-27

申请号：US11553331

申请日：2006-10-26

申请人： Joerg Appenzeller ,  Phaedon Avouris ,  Yu-Ming Lin

发明人： Joerg Appenzeller ,  Phaedon Avouris ,  Yu-Ming Lin

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  Y10S977/721

摘要： The method includes forming a 1-10000 nm thick SiO2, HfO2, Al2O3 and/or quartz gate dielectric on an Si back gate. An Al or Mo gate electrode is formed on the gate dielectric. An Al2O3 insulating layer is formed over the gate electrode. A C, Si, GaAs, InP, and/or InGaAs nanotube is formed on the insulating layer and gate dielectric. The nanotube has a central region on the insulating layer above the gate electrode and first and second ends on the gate dielectric. A source is formed on the first end and spaced from the central region and gate electrode by a first peripheral region. A drain is formed on the second end and spaced from the central region and gate electrode by a second peripheral region. The first and second peripheral regions are doped with Cl2, Br2, K, Na, or a molecule of polyethylenimine using wet deposition or evaporation.

摘要翻译： 该方法包括在Si背栅上形成1-10000nm厚的SiO 2，HfO 2，Al 2 O 3和/或石英栅极电介质。 在栅极电介质上形成Al或Mo栅电极。 在栅电极上形成Al 2 O 3绝缘层。 在绝缘层和栅极电介质上形成C，Si，GaAs，InP和/或InGaAs纳米管。 纳米管在栅电极上方的绝缘层上的中心区域和栅电介质上的第一和第二端。 源极在第一端部上形成并且通​​过第一周边区域与中心区域和栅电极间隔开。 在第二端形成漏极，并且通过第二周边区域与中心区域和栅电极间隔开。 第一和第二周边区域使用湿沉积或蒸发掺杂有Cl 2，Br 2，K，Na或分子的聚乙烯亚胺。

公开(公告)号：US07955931B2

公开(公告)日：2011-06-07

申请号：US12727753

申请日：2010-03-19

申请人： Joerg Appenzeller ,  Phaedon Avouris ,  Yu-Ming Lin

发明人： Joerg Appenzeller ,  Phaedon Avouris ,  Yu-Ming Lin

IPC分类号： H01L21/8236 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  Y10S977/721

摘要： A method of fabricating a nanotube field-effect transistor having unipolar characteristics and a small inverse sub-threshold slope includes forming a local gate electrode beneath the nanotube between drain and source electrodes of the transistor and doping portions of the nanotube. In a further embodiment, the method includes forming at least one trench in the gate dielectric (e.g., a back gate dielectric) and back gate adjacent to the local gate electrode. Another aspect of the invention is a nanotube field-effect transistor fabricated using such a method.

摘要翻译： 一种制造具有单极特性和小的反向亚阈值斜率的纳米管场效应晶体管的方法包括在晶体管的漏极和源极之间的纳米管下面形成局部栅电极，并掺杂纳米管的部分。 在另一实施例中，该方法包括在栅极电介质（例如，背栅极电介质）中形成至少一个沟槽和邻近局部栅电极的后栅极。 本发明的另一方面是使用这种方法制造的纳米管场效应晶体管。

公开(公告)号：US07851783B2

公开(公告)日：2010-12-14

申请号：US12164690

申请日：2008-06-30

申请人： Joerg Appenzeller ,  Phaedon Avouris ,  Yu-Ming Lin

发明人： Joerg Appenzeller ,  Phaedon Avouris ,  Yu-Ming Lin

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/072 ,  H01L31/109

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  Y10S977/721

摘要： A method of fabricating a nanotube field-effect transistor having unipolar characteristics and a small inverse sub-threshold slope includes forming a local gate electrode beneath the nanotube between drain and source electrodes of the transistor and doping portions of the nanotube. In a further embodiment, the method includes forming at least one trench in the gate dielectric (e.g., a back gate dielectric) and back gate adjacent to the local gate electrode. Another aspect of the invention is a nanotube field-effect transistor fabricated using such a method.

摘要翻译： 一种制造具有单极特性和小的反向亚阈值斜率的纳米管场效应晶体管的方法包括在晶体管的漏极和源极之间的纳米管下面形成局部栅电极，并掺杂纳米管的部分。 在另一实施例中，该方法包括在栅极电介质（例如，背栅极电介质）中形成至少一个沟槽和邻近局部栅电极的后栅极。 本发明的另一方面是使用这种方法制造的纳米管场效应晶体管。

公开(公告)号：US20070048908A1

公开(公告)日：2007-03-01

申请号：US11553331

申请日：2006-10-26

申请人： Joerg Appenzeller ,  Phaedon Avouris ,  Yu-Ming Lin

发明人： Joerg Appenzeller ,  Phaedon Avouris ,  Yu-Ming Lin

IPC分类号： H01L21/8232

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  Y10S977/721

摘要： A method of fabricating a nanotube field-effect transistor having unipolar characteristics and a small inverse sub-threshold slope includes forming a local gate electrode beneath the nanotube between drain and source electrodes of the transistor and doping portions of the nanotube. In a further embodiment, the method includes forming at least one trench in the gate dielectric (e.g., a back gate dielectric) and back gate adjacent to the local gate electrode. Another aspect of the invention is a nanotube field-effect transistor fabricated using such a method.

摘要翻译： 一种制造具有单极特性和小的反向亚阈值斜率的纳米管场效应晶体管的方法包括在晶体管的漏极和源极之间的纳米管下面形成局部栅电极，并掺杂纳米管的部分。 在另一实施例中，该方法包括在栅极电介质（例如，背栅极电介质）中形成至少一个沟槽和邻近局部栅电极的后栅极。 本发明的另一方面是使用这种方法制造的纳米管场效应晶体管。

公开(公告)号：US20100173462A1

公开(公告)日：2010-07-08

申请号：US12727753

申请日：2010-03-19

申请人： Joerg Appenzeller ,  Phaedon Avouris ,  Yu-Ming Lin

发明人： Joerg Appenzeller ,  Phaedon Avouris ,  Yu-Ming Lin

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/32

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  Y10S977/721

摘要： A method of fabricating a nanotube field-effect transistor having unipolar characteristics and a small inverse sub-threshold slope includes forming a local gate electrode beneath the nanotube between drain and source electrodes of the transistor and doping portions of the nanotube. In a further embodiment, the method includes forming at least one trench in the gate dielectric (e.g., a back gate dielectric) and back gate adjacent to the local gate electrode. Another aspect of the invention is a nanotube field-effect transistor fabricated using such a method.

摘要翻译： 一种制造具有单极特性和小的反向亚阈值斜率的纳米管场效应晶体管的方法包括在晶体管的漏极和源极之间的纳米管下面形成局部栅电极，并掺杂纳米管的部分。 在另一实施例中，该方法包括在栅极电介质（例如，背栅极电介质）中形成至少一个沟槽和邻近局部栅电极的后栅极。 本发明的另一方面是使用这种方法制造的纳米管场效应晶体管。

公开(公告)号：US07141727B1

公开(公告)日：2006-11-28

申请号：US11130313

申请日：2005-05-16

申请人： Joerg Appenzeller ,  Phaedon Avouris ,  Yu-Ming Lin

发明人： Joerg Appenzeller ,  Phaedon Avouris ,  Yu-Ming Lin

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  Y10S977/721

摘要： A method of fabricating a nanotube field-effect transistor having unipolar characteristics and a small inverse sub-threshold slope includes forming a local gate electrode beneath the nanotube between drain and source electrodes of the transistor and doping portions of the nanotube. In a further embodiment, the method includes forming at least one trench in the gate dielectric (e.g., a back gate dielectric) and back gate adjacent to the local gate electrode. Another aspect of the invention is a nanotube field-effect transistor fabricated using such a method.

摘要翻译： 一种制造具有单极特性和小的反向亚阈值斜率的纳米管场效应晶体管的方法包括在晶体管的漏极和源极之间的纳米管下面形成局部栅电极，并掺杂纳米管的部分。 在另一实施例中，该方法包括在栅极电介质（例如，背栅极电介质）中形成至少一个沟槽和邻近局部栅电极的后栅极。 本发明的另一方面是使用这种方法制造的纳米管场效应晶体管。

公开(公告)号：US08445320B2

公开(公告)日：2013-05-21

申请号：US12783676

申请日：2010-05-20

申请人： Phaedon Avouris ,  Kuan-Neng Chen ,  Damon Farmer ,  Yu-Ming Lin

发明人： Phaedon Avouris ,  Kuan-Neng Chen ,  Damon Farmer ,  Yu-Ming Lin

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/50 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78684 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Graphene-channel based devices and techniques for the fabrication thereof are provided. In one aspect, a semiconductor device includes a first wafer having at least one graphene channel formed on a first substrate, a first oxide layer surrounding the graphene channel and source and drain contacts to the graphene channel that extend through the first oxide layer; and a second wafer having a CMOS device layer formed in a second substrate, a second oxide layer surrounding the CMOS device layer and a plurality of contacts to the CMOS device layer that extend through the second oxide layer, the wafers being bonded together by way of an oxide-to-oxide bond between the oxide layers. One or more of the contacts to the CMOS device layer are in contact with the source and drain contacts. One or more other of the contacts to the CMOS device layer are gate contacts for the graphene channel.

摘要翻译： 提供了基于石墨烯基通道的器件及其制造技术。 在一个方面，一种半导体器件包括：第一晶片，其具有形成在第一衬底上的至少一个石墨烯通道;围绕石墨烯通道的第一氧化物层;延伸穿过第一氧化物层的石墨烯通道的源极和漏极接触; 以及第二晶片，其具有形成在第二基板中的CMOS器件层，围绕所述CMOS器件层的第二氧化物层和延伸穿过所述第二氧化物层的所述CMOS器件层的多个触点，所述晶片通过 氧化物层之间的氧化物 - 氧化物键。 与CMOS器件层的一个或多个触点与源极和漏极触点接触。 CMOS器件层的一个或多个其它触点是用于石墨烯通道的栅极触点。

公开(公告)号：US08053782B2

公开(公告)日：2011-11-08

申请号：US12546097

申请日：2009-08-24

申请人： Phaedon Avouris ,  Yu-Ming Lin ,  Thomas Mueller ,  Fengnian Xia

发明人： Phaedon Avouris ,  Yu-Ming Lin ,  Thomas Mueller ,  Fengnian Xia

IPC分类号： H01L29/15

CPC分类号： H01L51/428 ,  H01L29/1606 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/035209 ,  H01L31/101 ,  Y02E10/549

摘要： A photodetector which uses single or multi-layer graphene as the photon detecting layer is disclosed. Multiple embodiments are disclosed with different configurations of electrodes. In addition, a photodetector array comprising multiple photodetecting elements is disclosed for applications such as imaging and monitoring.

摘要翻译： 公开了使用单层或多层石墨烯作为光子检测层的光电探测器。 公开了具有不同配置的电极的多个实施例。 此外，公开了包括多个光电检测元件的光电探测器阵列，用于诸如成像和监视的应用。