公开(公告)号：US07995316B2

公开(公告)日：2011-08-09

申请号：US12471948

申请日：2009-05-26

申请人： John H. Carpenter, Jr. ,  Wayne Tien-Feng Chen ,  Andrew D. Mitchell

发明人： John H. Carpenter, Jr. ,  Wayne Tien-Feng Chen ,  Andrew D. Mitchell

IPC分类号： H02H9/00

CPC分类号： H01L27/0255

摘要： An integrated electrostatic discharge (ESD) device includes a first ESD structure coupled to a pad terminal of the integrated ESD device and a second ESD structure coupled to a ground terminal of the integrated ESD device. The integrated ESD device also comprises a diffusion region that is shared by each of the first ESD structure and the second ESD structure, such that the shared diffusion region forms a portion of at least one semiconductor junction associated with each of the first ESD structure and the second ESD structure.

摘要翻译： 集成静电放电（ESD）器件包括耦合到集成ESD器件的焊盘端子的第一ESD结构和耦合到集成ESD器件的接地端子的第二ESD结构。 集成ESD器件还包括由第一ESD结构和第二ESD结构中的每一个共享的扩散区域，使得共享扩散区域形成与第一ESD结构和第二ESD结构中的每一个相关联的至少一个半导体结的一部分， 第二ESD结构。

公开(公告)号：US20090230426A1

公开(公告)日：2009-09-17

申请号：US12471948

申请日：2009-05-26

申请人： John H. Carpenter, JR. ,  Wayne Tien-Feng Chen ,  Andrew D. Mitchell

发明人： John H. Carpenter, JR. ,  Wayne Tien-Feng Chen ,  Andrew D. Mitchell

IPC分类号： H01L29/73

CPC分类号： H01L27/0255

摘要： An integrated electrostatic discharge (ESD) device includes a first ESD structure coupled to a pad terminal of the integrated ESD device and a second ESD structure coupled to a ground terminal of the integrated ESD device. The integrated ESD device also comprises a diffusion region that is shared by each of the first ESD structure and the second ESD structure, such that the shared diffusion region forms a portion of at least one semiconductor junction associated with each of the first ESD structure and the second ESD structure.

摘要翻译： 集成静电放电（ESD）器件包括耦合到集成ESD器件的焊盘端子的第一ESD结构和耦合到集成ESD器件的接地端子的第二ESD结构。 集成ESD器件还包括由第一ESD结构和第二ESD结构中的每一个共享的扩散区域，使得共享扩散区域形成与第一ESD结构和第二ESD结构中的每一个相关联的至少一个半导体结的一部分， 第二ESD结构。

公开(公告)号：US20080029782A1

公开(公告)日：2008-02-07

申请号：US11499576

申请日：2006-08-04

申请人： John H. Carpenter ,  Wayne Tien-Feng Chen ,  Andrew D. Mitchell

发明人： John H. Carpenter ,  Wayne Tien-Feng Chen ,  Andrew D. Mitchell

IPC分类号： H01L29/74

CPC分类号： H01L27/0255

摘要： An integrated electrostatic discharge (ESD) device includes a first ESD structure coupled to a pad terminal of the integrated ESD device and a second ESD structure coupled to a ground terminal of the integrated ESD device. The integrated ESD device also comprises a diffusion region that is shared by each of the first ESD structure and the second ESD structure, such that the shared diffusion region forms a portion of at least one semiconductor junction associated with each of the first ESD structure and the second ESD structure.

摘要翻译： 集成静电放电（ESD）器件包括耦合到集成ESD器件的焊盘端子的第一ESD结构和耦合到集成ESD器件的接地端子的第二ESD结构。 集成ESD器件还包括由第一ESD结构和第二ESD结构中的每一个共享的扩散区域，使得共享扩散区域形成与第一ESD结构和第二ESD结构中的每一个相关联的至少一个半导体结的一部分， 第二ESD结构。