公开(公告)号：US06856145B2

公开(公告)日：2005-02-15

申请号：US10313431

申请日：2002-12-06

申请人： Jonathan P. Pelz ,  David T. Lee ,  Bharat Bhushan

发明人： Jonathan P. Pelz ,  David T. Lee ,  Bharat Bhushan

IPC分类号： G01Q60/00 ,  G01R27/26

CPC分类号： G01Q60/46 ,  G01R27/2605 ,  Y10S977/866

摘要： A system and method for measuring capacitance between a probe and a semiconductor sample, which may be useful in the field of scanning capacitance microscopy (SCM). The present invention also includes a method for analyzing measured capacitance data by subtracting any changes in capacitance that are due to changes in long-range stray capacitance that occur when the probe assembly is scanned.

摘要翻译： 用于测量探针和半导体样品之间的电容的系统和方法，其可用于扫描电容显微镜（SCM）领域。 本发明还包括一种通过减去由于扫描组件被扫描时发生的远程杂散电容的变化引起的电容变化而分析测量的电容数据的方法。

公开(公告)号：US07023220B2

公开(公告)日：2006-04-04

申请号：US10967930

申请日：2004-10-19

申请人： Jonathan P. Pelz ,  David T. Lee ,  Bharat Bhushan

发明人： Jonathan P. Pelz ,  David T. Lee ,  Bharat Bhushan

IPC分类号： G01R27/26

CPC分类号： G01Q60/46 ,  G01R27/2605 ,  Y10S977/866

摘要： A method for measuring nm-scale tip-sample capacitance including (a) measuring a cantilever deflection and a change in probe-sample capacitance relative to a reference level as a function of a probe assembly height; (b) fitting out-of-contact data to a function; (c) subtracting the function from capacitance data to get a residual capacitance as a function of the probe assembly height; and (d) determining the residual capacitance at a z-position where the cantilever deflection is zero.

摘要翻译： 一种用于测量nm尺度尖端样本电容的方法，包括（a）测量悬臂偏转和相对于参考水平的探针样品电容的变化，作为探针组件高度的函数; （b）将不合格数据拟合到一个功能上; （c）从电容数据中减去该功能，以获得作为探头组件高度的函数的残余电容; 和（d）确定悬臂偏转为零的z位置处的残余电容。