公开(公告)号：US20110261615A1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：US13073021

申请日：2011-03-28

申请人： Joon-Yong CHOI ,  Hoi Ju CHUNG

发明人： Joon-Yong CHOI ,  Hoi Ju CHUNG

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C13/0004 ,  G11C2013/0076 ,  G11C2013/0085 ,  G11C2213/72

摘要： A semiconductor device includes phase-change memory cells and an access circuit. The access circuit generates a plurality of bitwise comparison signals indicating different comparison events for respective write and read bit groups. At least a portion of the write data is then written to the phase-change memory cells according to a number of activated comparison signals for each comparison event, as well as according to a ratio of a set current pulse width and a reset current pulse width as applied to the of phase-change memory cells.

摘要翻译： 半导体器件包括相变存储单元和存取电路。 存取电路产生多个按比特比较信号，指示不同比较事件的各个写和读位组。 然后根据用于每个比较事件的激活的比较信号的数量，以及根据设定的电流脉冲宽度和复位电流脉冲宽度的比率将写入数据的至少一部分写入相变存储器单元 应用于相变存储器单元。