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    WET ETCHING SOLUTION
    1.
    发明申请
    WET ETCHING SOLUTION 审中-公开
    湿蚀刻解决方案

    公开(公告)号：US20120007019A1

    公开(公告)日：2012-01-12

    申请号：US13236880

    申请日：2011-09-20

    申请人： Jung In LA ,  Myung Kook PARK ,  Ho Seok YANG

    发明人： Jung In LA ,  Myung Kook PARK ,  Ho Seok YANG

    IPC分类号： C09K13/08

    CPC分类号： C03C15/00 ,  C09K13/08 ,  H01L21/31111

    摘要： A wet etching solution includes hydrogen fluoride in an amount of about 0.1% to about 3% by weight of the etching solution, an inorganic acid in an amount of about 10% to about 40% by weight of the etching solution, the inorganic acid being one or more of nitric acid, sulfuric acid, and/or hydrochloric acid, a nonionic surfactant in an amount of about 0.0001% to about 5% by weight of the etching solution, the surfactant including one or ore of alkylphenol ethoxylate and/or ammonium lauryl sulfate, and water.

    摘要翻译： 湿式蚀刻溶液包括以蚀刻溶液重量计约0.1％至约3％的量的氟化氢，蚀刻溶液的约10重量％至约40重量％的无机酸，无机酸为 硝酸，硫酸和/或盐酸中的一种或多种，​​蚀刻溶液重量的约0.0001％至约5％的非离子表面活性剂，表面活性剂包括烷基酚乙氧基化物和/或铵的一种或多种 月桂基硫酸盐和水。