公开(公告)号：US06764911B2

公开(公告)日：2004-07-20

申请号：US10143227

申请日：2002-05-10

申请人： Jw-Wang Hsu ,  Ming-Huan Tsai ,  Mei-Ru Kuo ,  Baw-Ching Peng ,  Hun-Jan Tao

发明人： Jw-Wang Hsu ,  Ming-Huan Tsai ,  Mei-Ru Kuo ,  Baw-Ching Peng ,  Hun-Jan Tao

IPC分类号： H01L21336

CPC分类号： H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： Within a method for forming a spacer layer from a second layer formed of a second material laminated upon a first layer formed of a first material, in turn formed over a topographic feature, there is employed a three step etch method. The three step etch method employs: (1) a first etch method having a first enhanced etch selectivity for the second material with respect to the first material; (2) a second etch method having a second substantially neutral etch selectivity for the second material with respect to the first material; and (3) a third etch method having a third enhanced etch selectivity for the first material with respect to the second material. In accord with the three step etch method, the spacer layer is fabricated with enhanced dimensional control.

摘要翻译： 在由层压在由第一材料形成的第一层上的第二材料形成的第二层形成间隔层的方法中，依次形成在地形特征上，采用三步骤蚀刻方法。 三步骤蚀刻方法采用：（1）第一蚀刻方法相对于第一材料具有对第二材料的第一增强蚀刻选择性; （2）对于第二材料相对于第一材料具有第二基本中性蚀刻选择性的第二蚀刻方法; 和（3）第三蚀刻方法，其相对于第二材料具有第一材料的第三增强蚀刻选择性。 根据三步蚀刻方法，间隔层用增强的尺寸控制制造。