公开(公告)号：US20150263029A1

公开(公告)日：2015-09-17

申请号：US14645758

申请日：2015-03-12

申请人： KI-JEONG KIM ,  DAE-HYUN JANG ,  BYEONG-JU KIM ,  JUNG-IK OH

发明人： KI-JEONG KIM ,  DAE-HYUN JANG ,  BYEONG-JU KIM ,  JUNG-IK OH

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L23/544

CPC分类号： H01L27/11575 ,  H01L23/544 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor memory device includes a substrate including a cell region and peripheral region. The cell region is equipped with a photolithographic reference mark pattern and includes a memory cell array region and a staircase-shaped connection region connected to memory cells of the memory cell array region.

摘要翻译： 半导体存储器件包括具有单元区域和周边区域的衬底。 单元区域配备有光刻基准标记图案，并且包括连接到存储单元阵列区域的存储单元的存储单元阵列区域和阶梯状连接区域。