公开(公告)号：US06828191B1

公开(公告)日：2004-12-07

申请号：US09363277

申请日：1999-07-28

申请人： Kai Wurster ,  Martin Schrems ,  Jürgen Faul ,  Klaus-Dieter Morhard ,  Alexandra Lamprecht ,  Odile Dequiedt

发明人： Kai Wurster ,  Martin Schrems ,  Jürgen Faul ,  Klaus-Dieter Morhard ,  Alexandra Lamprecht ,  Odile Dequiedt

IPC分类号： H01L218242

CPC分类号： H01L27/10861 ,  H01L27/10829

摘要： A trench capacitor, in particular for use in a semiconductor memory cell, has a trench formed in a substrate; an insulation collar formed in an upper region of the trench; an optional buried plate in the substrate region serving as a first capacitor plate; a dielectric layer lining the lower region of the trench and the insulation collar as a capacitor dielectric; a conductive second filling material filled into the trench as a second capacitor plate; and a buried contact underneath the surface of the substrate. The substrate has, underneath its surface in the region of the buried contact, a doped region introduced by implantation, plasma doping and/or vapor phase deposition. A tunnel layer, in particular an oxide, nitride or oxinitride layer, is preferably formed at the interface of the buried contact. A method for producing a trench capacitor is also provided.

摘要翻译： 特别是在半导体存储单元中使用的沟槽电容器具有形成在衬底中的沟槽; 形成在所述沟槽的上部区域中的绝缘套环; 在作为第一电容器板的基板区域中的可选掩埋板; 衬在沟槽的下部区域的绝缘层和作为电容器电介质的绝缘套管; 作为第二电容器板填充到所述沟槽中的导电的第二填充材料; 以及在衬底的表面下方的埋入接触。 衬底在其掩埋接触区域的表面下方具有通过注入，等离子体掺杂和/或气相沉积引入的掺杂区域。 隧道层，特别是氧化物，氮化物或氮氧化物层优选形成在埋入触点的界面处。 还提供了一种制造沟槽电容器的方法。

公开(公告)号：US06509599B1

公开(公告)日：2003-01-21

申请号：US09232081

申请日：1999-01-15

申请人： Kai Wurster ,  Martin Schrems ,  Jürgen Faul ,  Klaus-Dieter Morhard ,  Alexandra Lamprecht ,  Odile Dequiedt

发明人： Kai Wurster ,  Martin Schrems ,  Jürgen Faul ,  Klaus-Dieter Morhard ,  Alexandra Lamprecht ,  Odile Dequiedt

IPC分类号： H01L27108

CPC分类号： H01L27/10861 ,  H01L27/10829

摘要： A trench capacitor, in particular for use in a semiconductor memory cell, has a trench formed in a substrate; an insulation collar formed in an upper region of the trench; an optional buried plate in the substrate region serving as a first capacitor plate; a dielectric layer lining the lower region of the trench and the insulation collar as a capacitor dielectric; a conductive second filling material filled into the trench as a second capacitor plate; and a buried contact underneath the surface of the substrate. The substrate has, underneath its surface in the region of the buried contact, a doped region introduced by implantation, plasma doping and/or vapor phase deposition. A tunnel layer, in particular an oxide, nitride or oxinitride layer, is preferably formed at the interface of the buried contact.

摘要翻译： 特别是在半导体存储单元中使用的沟槽电容器具有形成在衬底中的沟槽; 形成在所述沟槽的上部区域中的绝缘套环; 在作为第一电容器板的基板区域中的可选掩埋板; 衬在沟槽的下部区域的绝缘层和作为电容器电介质的绝缘套管; 作为第二电容器板填充到所述沟槽中的导电的第二填充材料; 以及在衬底的表面下方的埋入接触。 衬底在其掩埋接触区域的表面下方具有通过注入，等离子体掺杂和/或气相沉积引入的掺杂区域。 隧道层，特别是氧化物，氮化物或氮氧化物层优选形成在埋入触点的界面处。

公开(公告)号：US06329703B1

公开(公告)日：2001-12-11

申请号：US09030227

申请日：1998-02-25

申请人： Martin Schrems ,  Kai Wurster ,  Klaus-Dieter Morhard ,  Joachim Hoepfner

发明人： Martin Schrems ,  Kai Wurster ,  Klaus-Dieter Morhard ,  Joachim Hoepfner

IPC分类号： H01L2980

CPC分类号： H01L27/10867 ,  H01L21/76895

摘要： A contact between a polycrystalline silicon structure and a monocrystalline silicon region is produced by doping the silicon structure in amorphous or polycrystalline form and/or doping the monocrystalline silicon region with a dopant, in particular with oxygen, in such a concentration that a solubility limit is exceeded. In a subsequent heat treatment, dopant precipitations are formed which either control grain growth in the polycrystalline silicon layer or prevent a propagation of crystal faults into a substrate in the monocrystalline silicon region. Such a contact can be used, in particular, as a buried strap in a DRAM trench cell.

摘要翻译： 多晶硅结构和单晶硅区域之间的接触是通过以非晶态或多晶形式掺杂硅结构和/或用掺杂剂（特别是氧）掺杂单晶硅区域来产生的，其浓度使得溶解度极限为 超过了 在随后的热处理中，形成掺杂剂沉淀，其控制多晶硅层中的晶粒生长或者防止晶体缺陷传播到单晶硅区域中的衬底中。 特别地，这种接触可以用作DRAM沟槽单元中的埋入带。

公开(公告)号：US6068928A

公开(公告)日：2000-05-30

申请号：US30406

申请日：1998-02-25

申请人： Martin Schrems ,  Kai Wurster ,  Klaus-Dieter Morhard ,  Joachim Hoepfner

发明人： Martin Schrems ,  Kai Wurster ,  Klaus-Dieter Morhard ,  Joachim Hoepfner

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  B32B9/04 ,  H01L21/36 ,  H01L21/425

CPC分类号： H01L21/28525 ,  Y10T428/12528

摘要： A method for producing a polycrystalline silicon structure and a polycrystalline silicon layer to be produced by the method of first forming a primary silicon structure in an amorphous or polycrystalline form, and doping the structure with a dopant, in particular with oxygen, in a concentration exceeding the solubility limit. In a subsequent heat treatment, dopant precipitations are formed which control grain growth in a secondary structure being produced. Such a contact polycrystalline silicon structure can be used, in particular, as a connection of a monocrystalline silicon region.

摘要翻译： 一种多晶硅结构体和多晶硅层的制造方法，其特征在于，通过首先以非晶态或多晶形式形成所述一次硅结构的方法制造多晶硅结构体，以及特别是用氧掺杂所述结构，其浓度超过 溶解度极限。 在随后的热处理中，形成控制正在生产的二级结构中的晶粒生长的掺杂剂沉淀。 特别地，这种接触多晶硅结构可以用作单晶硅区域的连接。