公开(公告)号：US06248400B1

公开(公告)日：2001-06-19

申请号：US08912369

申请日：1997-08-18

申请人： Kazuaki Kurihara ,  Kenichi Sasaki ,  Tsukasa Itani ,  Shinobu Akashi

发明人： Kazuaki Kurihara ,  Kenichi Sasaki ,  Tsukasa Itani ,  Shinobu Akashi

IPC分类号： C23C1627

CPC分类号： C23C16/01 ,  C23C16/276 ,  H04R31/003 ,  H04R2307/023

摘要： A DC plasma jet CVD process having a high film deposition rate is employed. A material having low adhesion with diamond is used for a substrate. A diamond film automatically peels from the substrate at the time of cooling. Gas is recycled because gas utilization efficiency is low. In this case, deposition of carbon can be prevented by setting a gas flow velocity to at least 5 m/s in the proximity of an anodic point.

摘要翻译： 采用具有高膜沉积速率的DC等离子体喷射CVD工艺。 与金刚石具有低粘合性的材料用于基材。 在冷却时，金刚石膜从基材自动剥离。 由于天然气利用效率低，气体被回收利用。 在这种情况下，通过将阳极点附近的气体流速设定为至少5m / s，可以防止碳沉积。