公开(公告)号：US20110122711A1

公开(公告)日：2011-05-26

申请号：US12904302

申请日：2010-10-14

申请人： Ki-Heung KIM ,  Seong-Jin JANG ,  Myeong-O KIM ,  Hong-Jun LEE ,  Tae-Yoon LEE

发明人： Ki-Heung KIM ,  Seong-Jin JANG ,  Myeong-O KIM ,  Hong-Jun LEE ,  Tae-Yoon LEE

IPC分类号： G11C5/14 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C11/4094 ,  G11C7/12 ,  G11C11/4074 ,  G11C29/02 ,  G11C29/028 ,  G11C2029/1204

摘要： A bitline precharge voltage generator comprises a leakage trimming unit and a bitline precharge voltage providing unit. The leakage trimming unit applies a leakage current to an output node to place a bitline precharge voltage at an edge of a dead zone. The bitline precharge voltage providing unit provides the bitline precharge voltage to the output node, and sets the bitline precharge voltage to a target level. The bitline precharge voltage generator generates the bitline precharge voltage having a distribution including the dead zone.

摘要翻译： 位线预充电电压发生器包括泄漏修整单元和位线预充电电压提供单元。 泄漏修整单元向输出节点施加泄漏电流以将位线预充电电压置于死区的边缘。 位线预充电电压提供单元向输出节点提供位线预充电电压，并将位线预充电电压设置为目标电平。 位线预充电电压发生器产生具有包括死区的分布的位线预充电电压。

公开(公告)号：US20090040853A1

公开(公告)日：2009-02-12

申请号：US12187269

申请日：2008-08-06

申请人： Myeong-O KIM ,  Byung-Chul KIM ,  Yong-Gyu CHU

发明人： Myeong-O KIM ,  Byung-Chul KIM ,  Yong-Gyu CHU

IPC分类号： G11C7/00 ,  G11C8/00

CPC分类号： G11C7/1048 ,  G11C7/12 ,  G11C8/18

摘要： A method and semiconductor memory device for precharging a local input/output line. The semiconductor memory device, which may have an open bit line structure, transmits data through local input/output lines that are coupled to bit lines of first to n-th memory cell array blocks (n being a natural number). The semiconductor memory device may include a precharge unit configured to generate a plurality of precharge signals and a controller configured to control precharging of the at least one local input/output line responsive to block information corresponding to activation of at least one of the memory cell array blocks and responsive to at least one of the precharge signals.

摘要翻译： 一种用于对本地输入/输出线进行预充电的方法和半导体存储器件。 可以具有开放位线结构的半导体存储器件通过耦合到第一至第n存储器单元阵列块（n为自然数）的位线的本地输入/输出线传输数据。 半导体存储器件可以包括：预充电单元，其被配置为产生多个预充电信号;以及控制器，被配置为响应于对应于至少一个存储单元阵列的激活来控制至少一个本地输入/输出线的预充电 并且响应于至少一个预充电信号。