利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

4 条记录 (耗时 0.021 秒)

    OSCILLATING CURRENT ASSISTED SPIN TORQUE MAGNETIC MEMORY
    1.
    发明申请
    OSCILLATING CURRENT ASSISTED SPIN TORQUE MAGNETIC MEMORY 有权
    振动电流辅助转子磁力记忆

    公开(公告)号：US20100034017A1

    公开(公告)日：2010-02-11

    申请号：US12251603

    申请日：2008-10-15

    申请人： Kirill Rivkin ,  Yiran Chen ,  Xiaobin Wang ,  Haiwen Xi

    发明人： Kirill Rivkin ,  Yiran Chen ,  Xiaobin Wang ,  Haiwen Xi

    IPC分类号： G11C11/14

    CPC分类号： H03B15/006 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675

    摘要： A memory unit having a spin torque memory cell with a ferromagnetic free layer, a ferromagnetic pinned layer and a spacer layer therebetween, with the free layer having a switchable magnetization orientation with a switching threshold. A DC current source is electrically connected to the spin torque memory cell to cause spin transfer torque in the free layer. An AC current source is electrically connected to the spin torque memory cell to produce an oscillatory polarized current capable of spin transfer torque via resonant coupling with the free layer.

    摘要翻译： 一种存储单元，其具有具有铁磁性自由层的自旋扭矩存储单元，铁磁性固定层及其间的间隔层，所述自由层具有切换阈值的可切换磁化取向。 直流电流源电连接到自旋转矩存储单元，以在自由层中引起自旋转移转矩。 AC电流源电连接到自旋转矩存储单元，以产生能够通过与自由层谐振耦合的自旋转移转矩的振荡极化电流。

    Oscillating current assisted spin torque magnetic memory
    2.
    发明授权
    Oscillating current assisted spin torque magnetic memory 有权
    振荡电流辅助自旋转矩磁记忆

    公开(公告)号：US07800938B2

    公开(公告)日：2010-09-21

    申请号：US12251603

    申请日：2008-10-15

    申请人： Kirill Rivkin ,  Yiran Chen ,  Xiaobin Wang ,  Haiwen Xi

    发明人： Kirill Rivkin ,  Yiran Chen ,  Xiaobin Wang ,  Haiwen Xi

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： H03B15/006 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675

    摘要： A memory unit having a spin torque memory cell with a ferromagnetic free layer, a ferromagnetic pinned layer and a spacer layer therebetween, with the free layer having a switchable magnetization orientation with a switching threshold. A DC current source is electrically connected to the spin torque memory cell to cause spin transfer torque in the free layer. An AC current source is electrically connected to the spin torque memory cell to produce an oscillatory polarized current capable of spin transfer torque via resonant coupling with the free layer.

    摘要翻译： 一种存储单元，其具有具有铁磁性自由层的自旋扭矩存储单元，铁磁性固定层及其间的间隔层，所述自由层具有切换阈值的可切换磁化取向。 直流电流源电连接到自旋转矩存储单元，以在自由层中引起自旋转移转矩。 AC电流源电连接到自旋转矩存储单元，以产生能够通过与自由层谐振耦合的自旋转移转矩的振荡极化电流。