公开(公告)号：US20110171833A1

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：US13072904

申请日：2011-03-28

申请人： Koichi NAKAUNE ,  Masatoshi OYAMA ,  Motohiro TANAKA ,  Hitoshi TAMURA ,  Masamichi SAKAGUCHI

发明人： Koichi NAKAUNE ,  Masatoshi OYAMA ,  Motohiro TANAKA ,  Hitoshi TAMURA ,  Masamichi SAKAGUCHI

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/31122

摘要： An object of the invention is to provide a dry etching method of a metal oxide High-k film having etching characteristics which achieve a small etching rate difference and a small profile difference between open area and dense area while keeping a high selectivity to a polysilicon underlying film. In the method of dry-etching a High-k film by using a plasma, a small amount of fluorocarbon gas having a high carbon ratio is added to a BCl3 gas mixed with a rare gas.

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种具有蚀刻特性的金属氧化物High-k膜的干蚀刻方法，其具有小的蚀刻速率差异以及开放区域和致密区域之间的微小差异，同时保持对多晶硅的高选择性 电影。 在使用等离子体干法蚀刻High-k膜的方法中，将少量碳含量高的碳氟化合物气体加入到与稀有气体混合的BCl 3气体中。