公开(公告)号：US6054722A

公开(公告)日：2000-04-25

申请号：US848141

申请日：1997-04-28

申请人： Kua-Hua Lee ,  Chun-Ting Liu

发明人： Kua-Hua Lee ,  Chun-Ting Liu

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L27/11 ,  H01L29/786 ,  H01L27/108 ,  H01L27/01

CPC分类号： H01L27/1108 ,  Y10S257/903 ,  Y10S257/904

摘要： A complementary device consisting of a PMOS TFT transistor and an NMOS FET transistor uses a conducting layer to shunt drain regions of the transistors to eliminate any detrimental diode or p-n junction effects. The use of the conducting layer significantly improves the current drive capabilities of the PMOS TFT when the complementary device is used to design SRAM cells with NMOS pull-down transistors.

摘要翻译： 由PMOS TFT晶体管和NMOS FET晶体管构成的互补器件使用导电层来分流晶体管的漏极区以消除任何有害的二极管或p-n结效应。 当使用互补器件来设计具有NMOS下拉晶体管的SRAM单元时，使用导电层可显着提高PMOS TFT的电流驱动能力。