公开(公告)号：US20110154948A1

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：US13060857

申请日：2009-08-24

申请人： Kwang Choon Chung ,  Hyun Nam Cho ,  Dong Rip Kim ,  Ji Hoon Yoo

发明人： Kwang Choon Chung ,  Hyun Nam Cho ,  Dong Rip Kim ,  Ji Hoon Yoo

IPC分类号： B22F9/24

CPC分类号： B22F9/30 ,  B22F1/0055 ,  B22F9/04

摘要： Disclosed herein is a method of manufacturing a metal flake, including the steps of: applying metal ink containing an organic metal compound onto a substrate; calcining the metal ink applied on the substrate to form a thin metal film; separating the formed thin metal film from the substrate; and pulverizing the separated thin metal film. The method of manufacturing a metal flake is characterized in that the thickness and size of metal flakes can be easily adjusted, metal flakes having excellent conductivity and gloss can be obtained, and metal flakes can be mass-produced using environmentally friendly and economical methods.

摘要翻译： 本文公开了一种制造金属薄片的方法，包括以下步骤：将含有有机金属化合物的金属墨施加到基底上; 煅烧施加在基板上的金属油墨以形成薄金属膜; 将形成的薄金属膜与基板分离; 并粉碎分离的金属薄膜。 金属薄片的制造方法的特征在于，可以容易地调整金属薄片的厚度和尺寸，可以获得具有优异的导电性和光泽的金属薄片，并且可以使用环保且经济的方法大量生产金属薄片。

公开(公告)号：US08979972B2

公开(公告)日：2015-03-17

申请号：US13060857

申请日：2009-08-24

申请人： Kwang Choon Chung ,  Hyun Nam Cho ,  Dong Rip Kim ,  Ji Hoon Yoo

发明人： Kwang Choon Chung ,  Hyun Nam Cho ,  Dong Rip Kim ,  Ji Hoon Yoo

IPC分类号： B22F9/04 ,  B22F9/30 ,  B22F1/00

CPC分类号： B22F9/30 ,  B22F1/0055 ,  B22F9/04

摘要： Disclosed herein is a method of manufacturing a metal flake, including the steps of: applying metal ink containing an organic metal compound onto a substrate; calcining the metal ink applied on the substrate to form a thin metal film; separating the formed thin metal film from the substrate; and pulverizing the separated thin metal film. The method of manufacturing a metal flake is characterized in that the thickness and size of metal flakes can be easily adjusted, metal flakes having excellent conductivity and gloss can be obtained, and metal flakes can be mass-produced using environmentally friendly and economical methods.

摘要翻译： 本文公开了一种制造金属薄片的方法，包括以下步骤：将含有有机金属化合物的金属墨施加到基底上; 煅烧施加在基板上的金属油墨以形成薄金属膜; 将形成的薄金属膜与基板分离; 并粉碎分离的金属薄膜。 金属薄片的制造方法的特征在于，可以容易地调整金属薄片的厚度和尺寸，可以获得具有优异的导电性和光泽的金属薄片，并且可以使用环保且经济的方法大量生产金属薄片。

公开(公告)号：US08815707B2

公开(公告)日：2014-08-26

申请号：US13791214

申请日：2013-03-08

申请人： Chi-Hwan Lee ,  Dong Rip Kim ,  Xiaolin Zheng

发明人： Chi-Hwan Lee ,  Dong Rip Kim ,  Xiaolin Zheng

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L31/18 ,  B05D5/00

CPC分类号： H01L24/98 ,  H01L21/7806 ,  H01L24/03 ,  H01L31/1896 ,  H01L2924/12033 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/351 ,  Y02E10/50 ,  H01L2924/00

摘要： A device fabrication method includes: (1) providing a growth substrate including a base and an oxide layer disposed over the base; (2) forming a metal layer over the oxide layer; (3) forming a stack of device layers over the metal layer; (4) performing interfacial debonding of the metal layer to separate the stack of device layers and the metal layer from the growth substrate; and (5) affixing the stack of device layers to a target substrate.

摘要翻译： 一种器件制造方法，包括：（1）提供包括基底和设置在基底上的氧化物层的生长衬底; （2）在所述氧化物层上形成金属层; （3）在所述金属层上形成一叠装置层; （4）进行金属层的界面剥离以将器件层和金属层与生长衬底分离; 和（5）将该层叠的器件层固定到目标衬底上。

公开(公告)号：US20130344679A1

公开(公告)日：2013-12-26

申请号：US13791214

申请日：2013-03-08

申请人： Chi-Hwan Lee ,  Dong Rip Kim ,  Xiaolin Zheng

发明人： Chi-Hwan Lee ,  Dong Rip Kim ,  Xiaolin Zheng

IPC分类号： H01L23/00

CPC分类号： H01L24/98 ,  H01L21/7806 ,  H01L24/03 ,  H01L31/1896 ,  H01L2924/12033 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/351 ,  Y02E10/50 ,  H01L2924/00

摘要： A device fabrication method includes: (1) providing a growth substrate including a base and an oxide layer disposed over the base; (2) forming a metal layer over the oxide layer; (3) forming a stack of device layers over the metal layer; (4) performing interfacial debonding of the metal layer to separate the stack of device layers and the metal layer from the growth substrate; and (5) affixing the stack of device layers to a target substrate.

摘要翻译： 一种器件制造方法，包括：（1）提供包括基底和设置在基底上的氧化物层的生长衬底; （2）在所述氧化物层上形成金属层; （3）在所述金属层上形成一叠装置层; （4）进行金属层的界面剥离以将器件层和金属层与生长衬底分离; 和（5）将该层叠的器件层固定到目标衬底上。