公开(公告)号：US20100002506A1

公开(公告)日：2010-01-07

申请号：US12318560

申请日：2008-12-31

申请人： Kyoung Lae Cho ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Yong June Kim

发明人： Kyoung Lae Cho ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Yong June Kim

IPC分类号： G11C16/04 ,  G11C16/06

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C29/00 ,  G11C2211/5621

摘要： Provided are memory devices and memory programming methods. A memory device may include: a multi-level cell array that includes a plurality of multi-level cells; a programming unit that programs a first data page in the plurality of multi-level cells and programs a second data page in a multi-level cell from among the plurality of multi-level cells in which the first data page is programmed; an error analysis unit that analyzes read error information corresponding to the first data page based on a read voltage level to determine whether to correct a read error based on the analyzed read error information; and a controller that adjusts the read voltage level of the first data page depending on the determination result. Through this, it is possible to reduce an error occurrence when reading and/or programming a data page.

摘要翻译： 提供的是存储器件和存储器编程方法。 存储器件可以包括：多级单元阵列，其包括多个多电平单元; 编程单元，其对所述多个多电平单元中的第一数据页进行编程，并从所述第一数据页被编程的所述多个多电平单元中编程多电平单元中的第二数据页; 误差分析单元，其基于读取电压电平分析与所述第一数据页相对应的读取错误信息，以基于所分析的读取错误信息来确定是否校正读取错误; 以及控制器，其根据确定结果调整第一数据页的读取电压电平。 通过这种方式，可以在读取和/或编程数据页时减少错误发生。

公开(公告)号：US08179718B2

公开(公告)日：2012-05-15

申请号：US12318560

申请日：2008-12-31

申请人： Kyoung Lae Cho ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Yong June Kim

发明人： Kyoung Lae Cho ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Yong June Kim

IPC分类号： G11C16/04 ,  G11C16/06

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C29/00 ,  G11C2211/5621

摘要： Provided are memory devices and memory programming methods. A memory device may include: a multi-level cell array that includes a plurality of multi-level cells; a programming unit that programs a first data page in the plurality of multi-level cells and programs a second data page in a multi-level cell from among the plurality of multi-level cells in which the first data page is programmed; an error analysis unit that analyzes read error information corresponding to the first data page based on a read voltage level to determine whether to correct a read error based on the analyzed read error information; and a controller that adjusts the read voltage level of the first data page depending on the determination result. Through this, it is possible to reduce an error occurrence when reading and/or programming a data page.

摘要翻译： 提供的是存储器件和存储器编程方法。 存储器件可以包括：多级单元阵列，其包括多个多电平单元; 编程单元，其对所述多个多电平单元中的第一数据页进行编程，并从所述第一数据页被编程的所述多个多电平单元中编程多电平单元中的第二数据页; 误差分析单元，其基于读取电压电平分析与所述第一数据页相对应的读取错误信息，以基于所分析的读取错误信息来确定是否校正读取错误; 以及控制器，其根据确定结果调整第一数据页的读取电压电平。 通过这种方式，可以在读取和/或编程数据页时减少错误发生。

公开(公告)号：US07843727B2

公开(公告)日：2010-11-30

申请号：US12232138

申请日：2008-09-11

申请人： Kyoung Lae Cho ,  Donghun Yu ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jae Hong Kim ,  Heeseok Eun

发明人： Kyoung Lae Cho ,  Donghun Yu ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jae Hong Kim ,  Heeseok Eun

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C11/5642 ,  G11C16/3418 ,  G11C29/00

摘要： A memory device and a memory data reading method are provided. The memory device may include: a multi-bit cell array; a programming unit that stores N data pages in a memory page in the multi-bit cell array; and a control unit that divides the N data pages into a first group and second group, reads data of the first group from the memory page, and determines a scheme of reading data of the second group from the memory page based on the read data of the first group.

摘要翻译： 提供存储器件和存储器数据读取方法。 存储器件可以包括：多位单元阵列; 编程单元，其将N个数据页存储在多位单元阵列中的存储器页面中; 以及控制单元，其将N个数据页划分为第一组和第二组，从存储器页面读取第一组的数据，并且基于读取的数据确定从存储器页面读取第二组的数据的方案 第一组。

公开(公告)号：US20090190396A1

公开(公告)日：2009-07-30

申请号：US12219264

申请日：2008-07-18

申请人： Kyoung Lae Cho ,  Dong Hun Yu ,  Jun Jin Kong ,  Seung-Hwan Song ,  Yoon Dong Park ,  Jong Han Kim ,  Young Hwan Lee

发明人： Kyoung Lae Cho ,  Dong Hun Yu ,  Jun Jin Kong ,  Seung-Hwan Song ,  Yoon Dong Park ,  Jong Han Kim ,  Young Hwan Lee

IPC分类号： G11C16/06 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C16/34 ,  G11C11/5642 ,  G11C2211/5634

摘要： A memory device and a method of reading multi-bit data stored in a multi-bit cell array may be provided. The memory device may include a multi-bit cell array including a least one memory page with each memory page having a plurality of multi-bit cells, and a determination unit to divide the plurality of multi-bit cells into a first group and second group. The first group may include multi-bit cells with a threshold voltage higher than a reference voltage. The second group may include multi-bit cells with a threshold voltage lower than the reference voltage. The determination unit may sequentially update the first group and second group while changing the reference voltage.

摘要翻译： 可以提供存储器件和读取存储在多位单元阵列中的多位数据的方法。 存储器件可以包括多比特单元阵列，其包括至少一个存储器页，每个存储器页具有多个多位单元，以及确定单元，用于将多个多位单元划分成第一组和第二组 。 第一组可以包括具有高于参考电压的阈值电压的多位单元。 第二组可以包括阈值电压低于参考电压的多位单元。 确定单元可以在改变参考电压的同时顺序地更新第一组和第二组。

公开(公告)号：US08305818B2

公开(公告)日：2012-11-06

申请号：US13303353

申请日：2011-11-23

申请人： Kyoung Lae Cho ,  Seung-Hwan Song ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jae-Hong Kim

发明人： Kyoung Lae Cho ,  Seung-Hwan Song ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jae-Hong Kim

IPC分类号： G11C11/34

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C16/32 ,  G11C16/349 ,  G11C29/00 ,  G11C2211/5634

摘要： Memory devices and/or methods that may estimate characteristics of multi-bit cell are provided. A memory device may include: a multi-bit cell array; a monitoring unit to extract a threshold voltage change over time value for reference threshold voltage states selected from a plurality of threshold voltage states corresponding to data stored in the multi-bit cell array; and an estimation unit to estimate a threshold voltage change over time values for the plurality of threshold voltage states based on the extracted threshold voltage change. Through this, it is possible to monitor a change over time of threshold voltages of a memory cell.

摘要翻译： 提供了可以估计多位单元特性的存储器件和/或方法。 存储器设备可以包括：多位单元阵列; 监测单元，用于提取从对应于存储在多位单元阵列中的数据的多个阈值电压状态中选择的参考阈值电压状态的时间值的阈值电压变化; 以及估计单元，用于基于所提取的阈值电压变化来估计所述多个阈值电压状态的时间值的阈值电压变化。 由此，可以监视存储单元的阈值电压随时间的变化。

公开(公告)号：US20090190397A1

公开(公告)日：2009-07-30

申请号：US12232138

申请日：2008-09-11

申请人： Kyoung Lae Cho ,  Donghun Yu ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jae Hong Kim ,  Heeseok Eun

发明人： Kyoung Lae Cho ,  Donghun Yu ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jae Hong Kim ,  Heeseok Eun

IPC分类号： G11C16/06 ,  G11C16/00 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C11/5642 ,  G11C16/3418 ,  G11C29/00

摘要： A memory device and a memory data reading method are provided. The memory device may include: a multi-bit cell array; a programming unit that stores N data pages in a memory page in the multi-bit cell array; and a control unit that divides the N data pages into a first group and second group, reads data of the first group from the memory page, and determines a scheme of reading data of the second group from the memory page based on the read data of the first group.

摘要翻译： 提供存储器件和存储器数据读取方法。 存储器件可以包括：多位单元阵列; 编程单元，其将N个数据页存储在多位单元阵列中的存储器页面中; 以及控制单元，其将N个数据页划分为第一组和第二组，从存储器页面读取第一组的数据，并且基于读取的数据确定从存储器页面读取第二组的数据的方案 第一组。

公开(公告)号：US20090185417A1

公开(公告)日：2009-07-23

申请号：US12213944

申请日：2008-06-26

申请人： Kyoung Lae Cho ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jong Han Kim ,  Jae Hong Kim ,  Young Hwan Lee ,  Heeseok Eun ,  Seung-Hwan Song

发明人： Kyoung Lae Cho ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jong Han Kim ,  Jae Hong Kim ,  Young Hwan Lee ,  Heeseok Eun ,  Seung-Hwan Song

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C29/00 ,  G11C2216/14

摘要： A memory programming apparatuses and/or methods are provided. The memory programming apparatus may include a data storage unit, a first counting unit, an index storage unit and/or a programming unit. The data storage unit may be configured to store a data page. The first counting unit may be configured to generate index information by counting a number of cells included in at least one reference threshold voltage state based on the data page. The index storage unit may be configured to store the generated index information. The programming unit may be configured to store the data page in the data storage unit and store the generated index information in the index storage unit. The first counting unit may send the generated index information to the programming unit. The memory programming apparatus can monitor distribution states of threshold voltages in memory cells.

摘要翻译： 提供了存储器编程设备和/或方法。 存储器编程装置可以包括数据存储单元，第一计数单元，索引存储单元和/或编程单元。 数据存储单元可以被配置为存储数据页。 第一计数单元可以被配置为通过基于数据页计数包括在至少一个参考阈值电压状态中的单元的数量来生成索引信息。 索引存储单元可以被配置为存储所生成的索引信息。 编程单元可以被配置为将数据页存储在数据存储单元中，并将生成的索引信息存储在索引存储单元中。 第一计数单元可以将生成的索引信息发送到编程单元。 存储器编程装置可以监视存储器单元中阈值电压的分布状态。

公开(公告)号：US08279668B2

公开(公告)日：2012-10-02

申请号：US12801532

申请日：2010-06-14

申请人： Kyoung Lae Cho ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jong Han Kim ,  Jae Hong Kim ,  Young Hwan Lee ,  Heeseok Eun ,  Seung-Hwan Song

发明人： Kyoung Lae Cho ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jong Han Kim ,  Jae Hong Kim ,  Young Hwan Lee ,  Heeseok Eun ,  Seung-Hwan Song

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C29/00 ,  G11C2216/14

摘要： A memory programming apparatuses and/or methods are provided. The memory programming apparatus may include a data storage unit, a first counting unit, an index storage unit and/or a programming unit. The data storage unit may be configured to store a data page. The first counting unit may be configured to generate index information by counting a number of cells included in at least one reference threshold voltage state based on the data page. The index storage unit may be configured to store, the generated index information. The programming unit may be configured to store the data page in the data storage unit and store the generated index information in the index storage unit. The first counting unit may send the generated index information to the programming unit. The memory programming apparatus can monitor distribution states of threshold voltages in memory cells.

摘要翻译： 提供了存储器编程设备和/或方法。 存储器编程装置可以包括数据存储单元，第一计数单元，索引存储单元和/或编程单元。 数据存储单元可以被配置为存储数据页。 第一计数单元可以被配置为通过基于数据页计数包括在至少一个参考阈值电压状态中的单元的数量来生成索引信息。 索引存储单元可以被配置为存储所生成的索引信息。 编程单元可以被配置为将数据页存储在数据存储单元中，并将生成的索引信息存储在索引存储单元中。 第一计数单元可以将生成的索引信息发送到编程单元。 存储器编程装置可以监视存储器单元中阈值电压的分布状态。

公开(公告)号：US07764543B2

公开(公告)日：2010-07-27

申请号：US12219264

申请日：2008-07-18

申请人： Kyoung Lae Cho ,  Dong Hun Yu ,  Jun Jin Kong ,  Seung-Hwan Song ,  Yoon Dong Park ,  Jong Han Kim ,  Young Hwan Lee

发明人： Kyoung Lae Cho ,  Dong Hun Yu ,  Jun Jin Kong ,  Seung-Hwan Song ,  Yoon Dong Park ,  Jong Han Kim ,  Young Hwan Lee

IPC分类号： G11C16/00

CPC分类号： G11C16/34 ,  G11C11/5642 ,  G11C2211/5634

摘要： A memory device and a method of reading multi-bit data stored in a multi-bit cell array may be provided. The memory device may include a multi-bit cell array including a least one memory page with each memory page having a plurality of multi-bit cells, and a determination unit to divide the plurality of multi-bit cells into a first group and second group. The first group may include multi-bit cells with a threshold voltage higher than a reference voltage. The second group may include multi-bit cells with a threshold voltage lower than the reference voltage. The determination unit may sequentially update the first group and second group while changing the reference voltage.

摘要翻译： 可以提供存储器件和读取存储在多位单元阵列中的多位数据的方法。 存储器件可以包括多比特单元阵列，其包括至少一个存储器页，每个存储器页具有多个多位单元，以及确定单元，用于将多个多位单元划分成第一组和第二组 。 第一组可以包括具有高于参考电压的阈值电压的多位单元。 第二组可以包括阈值电压低于参考电压的多位单元。 确定单元可以在改变参考电压的同时顺序地更新第一组和第二组。

公开(公告)号：US07746702B2

公开(公告)日：2010-06-29

申请号：US12213657

申请日：2008-06-23

申请人： Kyoung Lae Cho ,  Seung-Hwan Song ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jae-Hong Kim

发明人： Kyoung Lae Cho ,  Seung-Hwan Song ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jae-Hong Kim

IPC分类号： G11C11/34

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C16/32 ,  G11C16/349 ,  G11C29/00 ,  G11C2211/5634

摘要： Memory devices and/or methods that may estimate characteristics of multi-bit cell are provided. A memory device may include: a multi-bit cell array; a monitoring unit to extract a threshold voltage change over time value for reference threshold voltage states selected from a plurality of threshold voltage states corresponding to data stored in the multi-bit cell array; and an estimation unit to estimate a threshold voltage change over time values for the plurality of threshold voltage states based on the extracted threshold voltage change. Through this, it is possible to monitor a change over time of threshold voltages of a memory cell.