公开(公告)号：US20080150037A1

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：US11615980

申请日：2006-12-24

申请人： Lee Wee Teo ,  Shiang Yang Ong ,  Jae Gon Lee ,  Vincent Leong ,  Elgin Quek ,  Dong Kyun Sohn

发明人： Lee Wee Teo ,  Shiang Yang Ong ,  Jae Gon Lee ,  Vincent Leong ,  Elgin Quek ,  Dong Kyun Sohn

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/762 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7846

摘要： A first example embodiment comprises the following steps and the structure formed therefrom. A trench having opposing sidewalls is formed within a substrate. A stress layer having an inherent stress is formed over the opposing trench sidewalls. The stress layer having stress layer sidewalls over the trench sidewalls. Ions are implanted into one or more portions of the stress layer to form ion-implanted relaxed portions with the portions of the stress layer that are not implanted are un-implanted portions, whereby the inherent stress of the one or more ion-implanted relaxed portions of stress layer portions is relaxed.

摘要翻译： 第一示例性实施例包括以下步骤和由其形成的结构。 在衬底内形成具有相对侧壁的沟槽。 在相对的沟槽侧壁上形成具有固有应力的应力层。 应力层在沟槽侧壁上具有应力层侧壁。 将离子注入应力层的一个或多个部分以形成离子注入的松弛部分，其中未注入的应力层的部分是未注入的部分，由此一个或多个离子注入的松弛部分的固有应力 的应力层部分被松弛。

公开(公告)号：US08008744B2

公开(公告)日：2011-08-30

申请号：US12790975

申请日：2010-05-31

申请人： Lee Wee Teo ,  Shiang Yang Ong ,  Jae Gon Lee ,  Vincent Leong ,  Elgin Quek ,  Dong Kyun Sohn

发明人： Lee Wee Teo ,  Shiang Yang Ong ,  Jae Gon Lee ,  Vincent Leong ,  Elgin Quek ,  Dong Kyun Sohn

IPC分类号： H01L21/36

CPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7846

摘要： A first example embodiment comprises the following steps and the structure formed therefrom. A trench having opposing sidewalls is formed within a substrate. A stress layer having an inherent stress is formed over the opposing trench sidewalls. The stress layer having stress layer sidewalls over the trench sidewalls. Ions are implanted into one or more portions of the stress layer to form ion-implanted relaxed portions with the portions of the stress layer that are not implanted are un-implanted portions, whereby the inherent stress of the one or more ion-implanted relaxed portions of stress layer portions is relaxed.

摘要翻译： 第一示例性实施例包括以下步骤和由其形成的结构。 在衬底内形成具有相对侧壁的沟槽。 在相对的沟槽侧壁上形成具有固有应力的应力层。 应力层在沟槽侧壁上具有应力层侧壁。 将离子注入应力层的一个或多个部分以形成离子注入的松弛部分，其中未注入的应力层的部分是未注入的部分，由此一个或多个离子注入的松弛部分的固有应力 的应力层部分被松弛。

公开(公告)号：US07727856B2

公开(公告)日：2010-06-01

申请号：US11615980

申请日：2006-12-24

申请人： Lee Wee Teo ,  Shiang Yang Ong ,  Jae Gon Lee ,  Vincent Leong ,  Elgin Quek ,  Dong Kyun Sohn

发明人： Lee Wee Teo ,  Shiang Yang Ong ,  Jae Gon Lee ,  Vincent Leong ,  Elgin Quek ,  Dong Kyun Sohn

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7846

摘要： A first example embodiment comprises the following steps and the structure formed therefrom. A trench having opposing sidewalls is formed within a substrate. A stress layer having an inherent stress is formed over the opposing trench sidewalls. The stress layer having stress layer sidewalls over the trench sidewalls. Ions are implanted into one or more portions of the stress layer to form ion-implanted relaxed portions with the portions of the stress layer that are not implanted are un-implanted portions, whereby the inherent stress of the one or more ion-implanted relaxed portions of stress layer portions is relaxed.

摘要翻译： 第一示例性实施例包括以下步骤和由其形成的结构。 在衬底内形成具有相对侧壁的沟槽。 在相对的沟槽侧壁上形成具有固有应力的应力层。 应力层在沟槽侧壁上具有应力层侧壁。 将离子注入应力层的一个或多个部分以形成离子注入的松弛部分，其中未注入的应力层的部分是未注入的部分，由此一个或多个离子注入的松弛部分的固有应力 的应力层部分被松弛。