公开(公告)号：US07582518B2

公开(公告)日：2009-09-01

申请号：US11598817

申请日：2006-11-14

申请人： Linh Dang ,  Wayne Yoshida ,  Gerry Mei ,  Jennifer Wang ,  Po-Hsin Liu ,  Jane Lee ,  Weidong Liu ,  Mike Barsky ,  Rich Lai

发明人： Linh Dang ,  Wayne Yoshida ,  Gerry Mei ,  Jennifer Wang ,  Po-Hsin Liu ,  Jane Lee ,  Weidong Liu ,  Mike Barsky ,  Rich Lai

IPC分类号： H01L21/338

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L21/28587 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/42316

摘要： In a method of forming a semiconductor device on a semiconductor substrate (100), a photoresist layer (102) is deposited on the semiconductor substrate; a window (106) is formed in the photoresist layer (102) by electron beam lithography; a conformal layer (108) is deposited on the photoresist layer (102) and in the window (106); and substantially all of the conformal layer (108) is selectively removed from the photoresist layer (102) and a bottom portion of the window to form dielectric sidewalls (110) in the window (106).

摘要翻译： 在半导体衬底（100）上形成半导体器件的方法中，在半导体衬底上沉积光致抗蚀剂层（102） 通过电子束光刻在光致抗蚀剂层（102）中形成窗口（106） 在光致抗蚀剂层（102）和窗口（106）中沉积共形层（108）; 并且基本上所有的保形层（108）从光致抗蚀剂层（102）和窗口的底部部分选择性地移除，以在窗口（106）中形成电介质侧壁（110）。