公开(公告)号：US20100276783A1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：US12433042

申请日：2009-04-30

申请人： MARSHALL O. CATHEY ,  PUSHPA MAHALINGAM ,  WEIDONG TIAN ,  DAVID C. GUILING ,  XINFEN CHEN ,  BINGHUA HU ,  SOPA CHEVACHAROENKUL

发明人： MARSHALL O. CATHEY ,  PUSHPA MAHALINGAM ,  WEIDONG TIAN ,  DAVID C. GUILING ,  XINFEN CHEN ,  BINGHUA HU ,  SOPA CHEVACHAROENKUL

IPC分类号： H01L27/10 ,  H01L21/66 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L27/0805 ,  H01L22/26 ,  H01L28/40

摘要： A method of forming integrated circuits (IC) having at least one metal insulator metal (MIM) capacitor. A bottom electrode is formed on a predetermined region of a semiconductor surface of a substrate. At least one dielectric layer including silicon is formed on the bottom electrode, wherein a thickness of the dielectric layer is

摘要翻译： 一种形成具有至少一个金属绝缘体金属（MIM）电容器的集成电路（IC）的方法。 底部电极形成在基板的半导体表面的预定区域上。 在底部电极上形成至少一层包括硅的电介质层，其中电介质层的厚度<1000。在电介质层上形成顶部电极层。 在顶部电极层上形成图案化掩模层。 至少部分地使用干法刻蚀的蚀刻用于蚀刻图案化掩模层外部的顶部电极层，以到达介电层，该电介质层去除了介电层厚度的100埃。 干蚀刻工艺包括使用包含气体的第一卤素，包含氟的第二卤素和包含氟的气体和载气。