公开(公告)号：US20120221982A1

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：US13327379

申请日：2011-12-15

申请人： MOON-GYU JEONG ,  SEONG-WOON CHOI ,  JUNG HOON SER

发明人： MOON-GYU JEONG ,  SEONG-WOON CHOI ,  JUNG HOON SER

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G03F1/36 ,  G03F1/70 ,  G06F17/5081

摘要： A method of forming a layout of a photomask using optical proximity correction (OPC) includes: receiving a layout of a mask pattern; obtaining image parameters of a two-dimensional (2D) layout mask from a simulation; obtaining image parameters of a three-dimensional (3D) layout mask from a simulation; obtaining differences between the image parameters of the 2D and 3D masks; and performing optical proximity correction (OPC) on the 2D mask to compensate for the differences between the image parameters of the 2D and 3D masks by using a visible kernel with respect to the 2D mask.

摘要翻译： 使用光学邻近校正（OPC）形成光掩模的布局的方法包括：接收掩模图案的布局; 从模拟获得二维（2D）布局掩模的图像参数; 从模拟中获得三维（3D）布局蒙版的图像参数; 获得2D和3D掩模的图像参数之间的差异; 以及在2D掩模上执行光学邻近校正（OPC），以通过使用相对于2D掩模的可见内核来补偿2D和3D掩模的图像参数之间的差异。