公开(公告)号：US09553047B2

公开(公告)日：2017-01-24

申请号：US14735790

申请日：2015-06-10

Applicant: Macronix International Co. Ltd.

Inventor： Yu-Min Hung ,  Tzung-Ting Han ,  Miao-Chih Hsu

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3213 ,  H01L27/112

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76892 ,  H01L27/11293 ,  H01L27/11519

Abstract: Provided are improved semiconductor memory devices and methods for manufacturing such semiconductor memory devices. A method may incorporate the patterning of the array and periphery regions in self-aligned quadruple patterning and provide semiconductor devices resulting from the combined patterning.

Abstract translation: 提供了用于制造这种半导体存储器件的改进的半导体存储器件和方法。 一种方法可以结合阵列和外围区域的图案化，以自对准的四重图案化，并提供由组合图案化产生的半导体器件。