公开(公告)号：US20140030637A1

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：US13560012

申请日：2012-07-27

申请人： Martin Mazur ,  Henke Dietmar ,  Hans-Juergen Thees

发明人： Martin Mazur ,  Henke Dietmar ,  Hans-Juergen Thees

IPC分类号： G03F1/00 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F1/24 ,  G03F1/22 ,  G03F1/50 ,  G03F7/2026 ,  G03F7/2045

摘要： In one example, a reticle disclosed herein includes a body having a center, an arrangement of a plurality of exposure patterns, wherein a center of the arrangement is offset from the center of the body, and at least one open feature defined on or through the body of the reticle. In another example, a method is disclosed that includes forming a layer of photoresist above a plurality of functional die and a plurality of incomplete die, exposing the photoresist material positioned above at least one of the functional die and/or at least one of the incomplete die, performing an incomplete die exposure processes via an open feature of the reticle to expose substantially all of the photoresist material positioned above the plurality of incomplete die, and developing the photoresist to remove the portions of the photoresist material positioned above the incomplete die.

摘要翻译： 在一个示例中，本文公开的掩模版包括具有中心的主体，多个曝光图案的布置，其中该布置的中心偏离主体的中心，以及限定在该主体上或之上的至少一个开放特征 标线的主体。 在另一个实例中，公开了一种方法，其包括在多个功能模具上形成光致抗蚀剂层和多个不完全模具，使位于功能模具中的至少一个上的光致抗蚀剂材料和/或至少一个不完全模具 通过掩模版的开放特征执行不完全的裸片曝光处理，以露出位于多个不完全裸片上方的基本上所有的光致抗蚀剂材料，并且显影光致抗蚀剂以去除位于不完全裸片上方的光刻胶材料的部分。

公开(公告)号：US08802360B2

公开(公告)日：2014-08-12

申请号：US13560012

申请日：2012-07-27

申请人： Martin Mazur ,  Henke Dietmar ,  Hans-Juergen Thees

发明人： Martin Mazur ,  Henke Dietmar ,  Hans-Juergen Thees

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F1/24 ,  G03F1/22 ,  G03F1/50 ,  G03F7/2026 ,  G03F7/2045

摘要： In one example, a reticle disclosed herein includes a body having a center, an arrangement of a plurality of exposure patterns, wherein a center of the arrangement is offset from the center of the body, and at least one open feature defined on or through the body of the reticle. In another example, a method is disclosed that includes forming a layer of photoresist above a plurality of functional die and a plurality of incomplete die, exposing the photoresist material positioned above at least one of the functional die and/or at least one of the incomplete die, performing an incomplete die exposure processes via an open feature of the reticle to expose substantially all of the photoresist material positioned above the plurality of incomplete die, and developing the photoresist to remove the portions of the photoresist material positioned above the incomplete die.

摘要翻译： 在一个示例中，本文公开的掩模版包括具有中心的主体，多个曝光图案的布置，其中该布置的中心偏离主体的中心，以及限定在该主体上或之上的至少一个开放特征 标线的主体。 在另一个实例中，公开了一种方法，其包括在多个功能模具上形成光致抗蚀剂层和多个不完全模具，使位于功能模具中的至少一个上的光致抗蚀剂材料和/或至少一个不完全模具 通过掩模版的开放特征执行不完全的裸片曝光处理，以露出位于多个不完全裸片上方的基本上所有的光致抗蚀剂材料，并且显影光致抗蚀剂以去除位于不完全裸片上方的光刻胶材料的部分。