公开(公告)号：US4897628A

公开(公告)日：1990-01-30

申请号：US116986

申请日：1987-11-05

申请人： Masamichi Ippommatsu ,  Takeshi Matsumoto ,  Shingo Yakushizi ,  Katsuyuki Kuroki ,  Takashi Matsuzaka

发明人： Masamichi Ippommatsu ,  Takeshi Matsumoto ,  Shingo Yakushizi ,  Katsuyuki Kuroki ,  Takashi Matsuzaka

IPC分类号： G01N27/12

CPC分类号： G01N27/12

摘要： A gas sensor using an n-type metal oxide semiconductor and a method for manufacturing such a gas sensor is provided. More particularly, a gas sensor for detecting an inflammable gas and a method for manufacturing the same.

摘要翻译： 提供了使用n型金属氧化物半导体的气体传感器和制造这种气体传感器的方法。 更具体地，涉及一种用于检测易燃气体的气体传感器及其制造方法。