公开(公告)号：US20120252193A1

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：US13523603

申请日：2012-06-14

申请人： Ming-Ren LIN ,  Judy Xilin AN ,  Zoran KRIVOKAPIC ,  Cyrus E. TABERY ,  Haihong WANG ,  Bin YU

发明人： Ming-Ren LIN ,  Judy Xilin AN ,  Zoran KRIVOKAPIC ,  Cyrus E. TABERY ,  Haihong WANG ,  Bin YU

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66818

摘要： A double gate metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) includes a fin, a first gate and a second gate. The first gate is formed on top of the fin. The second gate surrounds the fin and the first gate. In another implementation, a triple gate MOSFET includes a fin, a first gate, a second gate, and a third gate. The first gate is formed on top of the fin. The second gate is formed adjacent the fin. The third gate is formed adjacent the fin and opposite the second gate.

摘要翻译： 双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）包括鳍状物，第一栅极和第二栅极。 第一个门形成在鳍的顶部。 第二个门围绕翅片和第一个门。 在另一实施方案中，三栅极MOSFET包括鳍片，第一栅极，第二栅极和第三栅极。 第一个门形成在鳍的顶部。 第二个门形成在翅片附近。 第三栅极形成在翅片附近并与第二栅极相对。