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    DOUBLE AND TRIPLE GATE MOSFET DEVICES AND METHODS FOR MAKING SAME
    1.
    发明申请
    DOUBLE AND TRIPLE GATE MOSFET DEVICES AND METHODS FOR MAKING SAME 有权
    双和三极门MOSFET器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20120252193A1

    公开(公告)日：2012-10-04

    申请号：US13523603

    申请日：2012-06-14

    申请人： Ming-Ren LIN ,  Judy Xilin AN ,  Zoran KRIVOKAPIC ,  Cyrus E. TABERY ,  Haihong WANG ,  Bin YU

    发明人： Ming-Ren LIN ,  Judy Xilin AN ,  Zoran KRIVOKAPIC ,  Cyrus E. TABERY ,  Haihong WANG ,  Bin YU

    IPC分类号： H01L21/20

    CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66818

    摘要： A double gate metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) includes a fin, a first gate and a second gate. The first gate is formed on top of the fin. The second gate surrounds the fin and the first gate. In another implementation, a triple gate MOSFET includes a fin, a first gate, a second gate, and a third gate. The first gate is formed on top of the fin. The second gate is formed adjacent the fin. The third gate is formed adjacent the fin and opposite the second gate.

    摘要翻译： 双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）包括鳍状物，第一栅极和第二栅极。 第一个门形成在鳍的顶部。 第二个门围绕翅片和第一个门。 在另一实施方案中，三栅极MOSFET包括鳍片，第一栅极，第二栅极和第三栅极。 第一个门形成在鳍的顶部。 第二个门形成在翅片附近。 第三栅极形成在翅片附近并与第二栅极相对。

    METHOD OF FORMING FIN STRUCTURES USING A SACRIFICIAL ETCH STOP LAYER ON BULK SEMICONDUCTOR MATERIAL
    2.
    发明申请
    METHOD OF FORMING FIN STRUCTURES USING A SACRIFICIAL ETCH STOP LAYER ON BULK SEMICONDUCTOR MATERIAL 有权
    在半导体材料上使用极限蚀刻停止层形成晶体结构的方法

    公开(公告)号：US20100248454A1

    公开(公告)日：2010-09-30

    申请号：US12413174

    申请日：2009-03-27

    申请人： Witold MASZARA ,  Ming-Ren LIN ,  Jin CHO ,  Zoran KRIVOKAPIC

    发明人： Witold MASZARA ,  Ming-Ren LIN ,  Jin CHO ,  Zoran KRIVOKAPIC

    IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/28

    CPC分类号： H01L29/66795

    摘要： A method of manufacturing semiconductor fins for a semiconductor device may begin by providing a bulk semiconductor substrate. The method continues by growing a layer of first epitaxial semiconductor material on the bulk semiconductor substrate, and by growing a layer of second epitaxial semiconductor material on the layer of first epitaxial semiconductor material. The method then creates a fin pattern mask on the layer of second epitaxial semiconductor material. The fin pattern mask has features corresponding to a plurality of fins. Next, the method anisotropically etches the layer of second epitaxial semiconductor material, using the fin pattern mask as an etch mask, and using the layer of first epitaxial semiconductor material as an etch stop layer. This etching step results in a plurality of fins formed from the layer of second epitaxial semiconductor material.

    摘要翻译： 制造用于半导体器件的半导体鳍片的方法可以通过提供体半导体衬底开始。 该方法通过在体半导体衬底上生长第一外延半导体材料层并通过在第一外延半导体材料层上生长第二外延半导体材料层来继续。 该方法然后在第二外延半导体材料层上产生鳍状图案掩模。 翅片图形掩模具有对应于多个翅片的特征。 接下来，使用鳍图案掩模作为蚀刻掩模，并且使用第一外延半导体材料层作为蚀刻停止层，该方法各向异性地蚀刻第二外延半导体材料的层。 该蚀刻步骤导致由第二外延半导体材料层形成的多个鳍片。