公开(公告)号：US08450046B2

公开(公告)日：2013-05-28

申请号：US12392093

申请日：2009-02-24

申请人： Moh Lung Ling ,  Gek Soon Chua ,  Qunying Lin ,  Cho Jui Tay ,  Chenggen Quan

发明人： Moh Lung Ling ,  Gek Soon Chua ,  Qunying Lin ,  Cho Jui Tay ,  Chenggen Quan

IPC分类号： G03F7/30 ,  G03B27/72

CPC分类号： G03F7/30 ,  G03B27/72 ,  G03F7/70125 ,  G03F7/70425

摘要： A method for fabricating a semiconductor device that includes: providing a substrate prepared with a photoresist layer; providing a photomask comprising a first and a second pattern having a respective first and second pitch range; providing a composite aperture comprising a first and a second off-axis illumination aperture pattern, the first off-axis aperture pattern having a configuration that improves the process window of the first pitch range and the second off-axis aperture pattern having a configuration that improves the process window for a second pitch range; exposing the photoresist layer on the substrate with radiation from an exposure source through the composite aperture and the photomask; and developing the photoresist layer to pattern the photoresist layer.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法，包括：提供用光致抗蚀剂层制备的衬底; 提供包括具有相应的第一和第二间距范围的第一和第二图案的光掩模; 提供包括第一和第二离轴照明孔径图案的复合孔径，第一离轴孔径图案具有改善第一间距范围的处理窗口并且具有改善的构造的第二离轴孔径图案的构造 用于第二间距范围的过程窗口; 通过复合孔径和光掩模将来自曝光源的辐射曝光在基板上; 并且使光致抗蚀剂层显影以对光致抗蚀剂层进行图案化。

公开(公告)号：US08034543B2

公开(公告)日：2011-10-11

申请号：US12696067

申请日：2010-01-29

申请人： Gek Soon Chua ,  Sia Kim Tan ,  Qunying Lin ,  Cho Jui Tay ,  Chenggen Quan

发明人： Gek Soon Chua ,  Sia Kim Tan ,  Qunying Lin ,  Cho Jui Tay ,  Chenggen Quan

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/26

CPC分类号： G03F1/30

摘要： A method for forming a semiconductor device is presented. The method includes providing a substrate having a photoresist thereon and transmitting a light source through a mask having a pattern onto the photoresist. The mask comprises a mask substrate having first, second and third regions, the third region is disposed between the first and second regions. The mask also includes a light reducing layer over the mask substrate having a first opening over the first region and a second opening over the second region. The first and second openings have layer sidewalls. The sidewalls of the light reducing layer are slanted at an angle less than 90 degrees from the plane of a top surface of the mask substrate. The method also includes developing the photoresist to transfer the pattern of the mask to the photoresist.

摘要翻译： 提出了一种形成半导体器件的方法。 该方法包括提供其上具有光致抗蚀剂的基底，并通过具有图案的掩模将光源透射到光致抗蚀剂上。 掩模包括具有第一，第二和第三区域的掩模基板，第三区域设置在第一和第二区域之间。 掩模还包括在掩模基板上方的减光层，在第一区域上具有第一开口，在第二区域上具有第二开口。 第一和第二开口具有层侧壁。 减光层的侧壁以与掩模基板的顶面的平面成90度以下的角度倾斜。 该方法还包括显影光致抗蚀剂以将掩模的图案转移到光致抗蚀剂。

公开(公告)号：US07674562B2

公开(公告)日：2010-03-09

申请号：US11297532

申请日：2005-12-07

申请人： Gek Soon Chua ,  Sia Kim Tan ,  Qunying Lin ,  Cho Jui Tay ,  Chenggen Quan

发明人： Gek Soon Chua ,  Sia Kim Tan ,  Qunying Lin ,  Cho Jui Tay ,  Chenggen Quan

IPC分类号： G03F1/08 ,  G03F1/14

CPC分类号： G03F1/30

摘要： A method for forming a phase shift mask is presented. The method includes providing a substrate including a transparent material having first, second and third regions, the third region being disposed between the first and second regions. The method also includes forming a light reducing layer on a first major surface of the substrate. The light reducing layer is patterned to form a patterned light reducing layer having sidewalls defining openings to expose the first and second regions. The patterned light reducing layer is processed to transform the sidewalls of the patterned light reducing layer to angled sidewalls having an angle of less than 90° from a plane of the first major surface of the substrate. The angled sidewalls improve intensity balance of an image-formed by light-transmitted through the mask.

摘要翻译： 提出了一种形成相移掩模的方法。 该方法包括提供包括具有第一，第二和第三区域的透明材料的基板，该第三区域设置在第一和第二区域之间。 该方法还包括在基板的第一主表面上形成减光层。 图案化减光层以形成具有限定开口以暴露第一和第二区域的侧壁的图案化减光层。 处理图案化的光降低层以将图案化的减光层的侧壁转变成与基板的第一主表面的平面成小于90°的角度的成角度的侧壁。 成角度的侧壁提高了透过掩模的光图像形成的强度平衡。

公开(公告)号：US20070128527A1

公开(公告)日：2007-06-07

申请号：US11297532

申请日：2005-12-07

申请人： Gek Chua ,  Sia Tan ,  Qunying Lin ,  Cho Tay ,  Chenggen Quan

发明人： Gek Chua ,  Sia Tan ,  Qunying Lin ,  Cho Tay ,  Chenggen Quan

IPC分类号： G03C5/00 ,  G03F1/00

CPC分类号： G03F1/30

摘要： A method and structure for a phase shift mask having a light reducing layer with sloped sidewalls. In some embodiments, the sloped sidewalls can help improve the image imbalance. The mask comprising: a substrate having a first region, a second region and a third region; the third region position between the first region and the second regions; an light reducing layer over the substrate having a first opening over the first region and a second opening over the second region; the first opening and the second opening defined by light reducing layer sidewalls; the sidewalls of the opaque layer are slanted at an angle less than 90 degrees with the plane of the top surface of the substrate.

摘要翻译： 一种具有具有倾斜侧壁的减光层的相移掩模的方法和结构。 在一些实施例中，倾斜侧壁有助于改善图像不平衡。 该掩模包括：具有第一区域，第二区域和第三区域的衬底; 第一区域和第二区域之间的第三区域位置; 在所述衬底上方的减光层，在所述第一区域上具有第一开口，在所述第二区域上具有第二开口; 由减光层侧壁限定的第一开口和第二开口; 不透明层的侧壁以与基板的顶表面的平面成小于90度的角度倾斜。