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1.发明授权公开(公告)号：US08143690B2
公开(公告)日：2012-03-27
申请号：US12219336
申请日：2008-07-21
申请人： Myoung-kyu Park , Byung-sun Kim , Tae-jung Lee , Kee-in Bang
发明人： Myoung-kyu Park , Byung-sun Kim , Tae-jung Lee , Kee-in Bang
IPC分类号： H01L27/06
CPC分类号： H01L27/0814 , H01L27/0255
摘要： Semiconductor device having an on-chip type electrostatic discharge (ESD) protection circuit and a method of manufacturing the same are provided. The on-chip type ESD protection circuit may include a first junction diode having a first conductive type region contacting a second conductive type region in a semiconductor substrate, and a first schottky diode having a metallic material layer arranged on and contacting the first conductive type region of the semiconductor substrate.
摘要翻译： 提供具有片上型静电放电（ESD）保护电路的半导体器件及其制造方法。 片上型ESD保护电路可以包括具有与半导体衬底中的第二导电类型区域接触的第一导电类型区域的第一结二极管和具有布置在第一导电类型区域上并与第一导电类型区域接触的金属材料层的第一肖特基二极管 的半导体衬底。
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2.发明申请公开(公告)号：US20090020844A1
公开(公告)日：2009-01-22
申请号：US12219336
申请日：2008-07-21
申请人： Myoung-kyu Park , Byung-sun Kim , Tae-jung Lee , Kee-in Bang
发明人： Myoung-kyu Park , Byung-sun Kim , Tae-jung Lee , Kee-in Bang
IPC分类号： H01L27/06
CPC分类号： H01L27/0814 , H01L27/0255
摘要： Semiconductor device having an on-chip type electrostatic discharge (ESD) protection circuit and a method of manufacturing the same are provided. The on-chip type ESD protection circuit may include a first junction diode having a first conductive type region contacting a second conductive type region in a semiconductor substrate, and a first schottky diode having a metallic material layer arranged on and contacting the first conductive type region of the semiconductor substrate.
摘要翻译： 提供具有片上型静电放电（ESD）保护电路的半导体器件及其制造方法。 片上型ESD保护电路可以包括具有与半导体衬底中的第二导电类型区域接触的第一导电类型区域的第一结二极管和具有布置在第一导电类型区域上并与第一导电类型区域接触的金属材料层的第一肖特基二极管 的半导体衬底。
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