公开(公告)号：US20130252349A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：US13426785

申请日：2012-03-22

申请人： Nilay Anil Pradhan ,  Stanislav S. Todorov ,  Kurt Decker-Lucke ,  Klaus Petry ,  Benjamin Colombeau ,  Baonian Guo

发明人： Nilay Anil Pradhan ,  Stanislav S. Todorov ,  Kurt Decker-Lucke ,  Klaus Petry ,  Benjamin Colombeau ,  Baonian Guo

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/76243

摘要： A method of forming a FinFET device. The method may include providing a substrate having a single crystalline region, heating the substrate to a substrate temperature effective for dynamically removing implant damage during ion implantation, implanting ions into the substrate while the substrate is maintained at the substrate temperature, and patterning the single crystalline region so as to form a single crystalline fin.

摘要翻译： 一种形成FinFET器件的方法。 该方法可以包括提供具有单晶区域的衬底，将衬底加热到​​衬底温度以有效地在离子注入期间动态地去除注入损伤，在将衬底保持在衬底温度的同时将离子注入到衬底中，并且使单晶 以形成单晶翅片。

公开(公告)号：US08722431B2

公开(公告)日：2014-05-13

申请号：US13426785

申请日：2012-03-22

申请人： Nilay Anil Pradhan ,  Stanislav S. Todorov ,  Kurt Decker-Lucke ,  Klaus Petry ,  Benjamin Colombeau ,  Baonian Guo

发明人： Nilay Anil Pradhan ,  Stanislav S. Todorov ,  Kurt Decker-Lucke ,  Klaus Petry ,  Benjamin Colombeau ,  Baonian Guo

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/76243

摘要： A method of forming a FinFET device. The method may include providing a substrate having a single crystalline region, heating the substrate to a substrate temperature effective for dynamically removing implant damage during ion implantation, implanting ions into the substrate while the substrate is maintained at the substrate temperature, and patterning the single crystalline region so as to form a single crystalline fin.

摘要翻译： 一种形成FinFET器件的方法。 该方法可以包括提供具有单晶区域的衬底，将衬底加热到​​衬底温度以有效地在离子注入期间动态地去除注入损伤，在将衬底保持在衬底温度的同时将离子注入到衬底中，并且使单晶 以形成单晶翅片。