公开(公告)号：US06808942B1

公开(公告)日：2004-10-26

申请号：US10444345

申请日：2003-05-23

申请人： Nital Patel ,  Brian Smith ,  Jeffrey S. Hodges ,  Dale R. Burrows ,  Yu-Lun Lin

发明人： Nital Patel ,  Brian Smith ,  Jeffrey S. Hodges ,  Dale R. Burrows ,  Yu-Lun Lin

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： G03F7/70625 ,  H01L22/20

摘要： The present invention provides a method for determining resist trim times in an etch process. In one embodiment of the invention, the method for determining resist trim times includes obtaining resist profile data and critical dimension (CD) data of a patterned resist layer using a scatterometer, in a step 520, and then obtaining an estimated trim time of the patterned resist layer using the resist profile data and critical dimension data, in steps 530-550.

摘要翻译： 本发明提供了一种在蚀刻工艺中确定抗蚀剂修整时间的方法。 在本发明的一个实施例中，用于确定抗蚀剂修整时间的方法包括在步骤520中使用散射仪获得抗蚀剂图案数据和图案化抗蚀剂层的临界尺寸（CD）数据，然后获得图案化的估计修剪时间 在步骤530-550中使用抗蚀剂轮廓数据和临界尺寸数据的抗蚀剂层。