公开(公告)号：US09070768B2

公开(公告)日：2015-06-30

申请号：US13579155

申请日：2010-02-15

申请人： Ralf Lerner ,  Phil Hower ,  Gabriel Kittler ,  Klaus Schottmann

发明人： Ralf Lerner ,  Phil Hower ,  Gabriel Kittler ,  Klaus Schottmann

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/7828 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66666

摘要： A depletion type DMOS transistor comprises a gap in electrode material allowing incorporation of a well dopant species into the underlying semiconductor material. During subsequent dopant diffusion a continuous well region is obtained having an extended lateral extension without having an increased depth. The source dopant species is implanted after masking the gap. Additional channel implantation is performed prior to forming the gate dielectric material.

摘要翻译： 耗尽型DMOS晶体管包括电极材料中的间隙，允许将阱掺杂剂物质并入到下面的半导体材料中。 在随后的掺杂剂扩散期间，获得具有延伸的横向延伸而不增加深度的连续阱区。 掩蔽间隙后植入源掺杂剂物质。 在形成栅极电介质材料之前执行附加沟道注入。

公开(公告)号：US20120306010A1

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：US13579155

申请日：2010-02-15

申请人： Ralf Lerner ,  Phil Hower ,  Gabriel Kittler ,  Klaus Schottmann

发明人： Ralf Lerner ,  Phil Hower ,  Gabriel Kittler ,  Klaus Schottmann

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7828 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66666

摘要： A depletion type DMOS transistor comprises a gap in electrode material allowing incorporation of a well dopant species into the underlying semiconductor material. During subsequent dopant diffusion a continuous well region is obtained having an extended lateral extension without having an increased depth. The source dopant species is implanted after masking the gap. Additional channel implantation is performed prior to forming the gate dielectric material.

摘要翻译： 耗尽型DMOS晶体管包括电极材料中的间隙，允许将阱掺杂剂物质并入到下面的半导体材料中。 在随后的掺杂剂扩散期间，获得具有延伸的横向延伸而不增加深度的连续阱区。 掩蔽间隙后植入源掺杂剂物质。 在形成栅极电介质材料之前执行附加沟道注入。