公开(公告)号：US06383873B1

公开(公告)日：2002-05-07

申请号：US09575204

申请日：2000-05-18

申请人： Rama I. Hegde ,  Philip J. Tobin ,  Amit Nangia

发明人： Rama I. Hegde ,  Philip J. Tobin ,  Amit Nangia

IPC分类号： H01L21336

CPC分类号： H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： A finished structure (100) includes a semiconductive region (102), a first oxide layer (106), a second oxide layer (108), and a conductive layer (110). The first oxide layer (106) lies between the semiconductive region (102) and the second oxide layer (108); and the second oxide layer (108) lies between the first oxide layer (106) and the conductive layer (110). The first oxide layer (106) includes at least a portion that is amorphous or includes a first element, a second element, and a third element. In the latter, the first element is a metallic element, and each of the first, second, and third elements are different from each other. A process for forming a structure (100) includes forming a first layer (106) near a semiconductive region (102), forming a second layer (108) after forming the first layer (106), and forming a third layer (110) after forming the second layer (108). The first oxide layer (106) includes a metallic element and oxygen. The third layer (110) is a non-insulating layer.

摘要翻译： 完成的结构（100）包括半导体区域（102），第一氧化物层（106），第二氧化物层（108）和导电层（110）。 第一氧化物层（106）位于半导电区域（102）和第二氧化物层（108）之间; 并且所述第二氧化物层（108）位于所述第一氧化物层（106）和所述导电层（110）之间。 第一氧化物层（106）包括至少一部分，其是无定形的或包括第一元件，第二元件和第三元件。 在后者中，第一元件是金属元件，并且第一元件，第二元件和第三元件中的每一个元件彼此不同。 用于形成结构（100）的方法包括在半导体区域（102）附近形成第一层（106），在形成第一层（106）之后形成第二层（108），以及在形成第三层之后形成第三层（110） 形成第二层（108）。 第一氧化物层（106）包括金属元素和氧。 第三层（110）是非绝缘层。