公开(公告)号：US06514876B1

公开(公告)日：2003-02-04

申请号：US09644759

申请日：2000-08-23

申请人： Randhir P. S. Thakur ,  John H. Das ,  Dave Clarke

发明人： Randhir P. S. Thakur ,  John H. Das ,  Dave Clarke

IPC分类号： H01L2144

CPC分类号： H01L21/31051 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/0214

摘要： A process for forming silicate glass layers on substrates is disclosed. A silicate glass layer is first deposited onto a substrate, such as a semiconductor wafer. The wafer is then placed in a thermal processing chamber and heated in the presence of a reactive gas. The object is heated to a temperature sufficient for reflow of the silicate glass. In one embodiment, the atmosphere contained within the processing chamber comprises steam in combination with a reactive gas. The reactive gas can be, for instance, hydrogen, oxygen, nitrogen, dinitrogen oxide, ozone, hydrogen peroxide, atomic and/or molecular hydrogen, or radicals or mixtures thereof.

摘要翻译： 公开了一种在衬底上形成硅酸盐玻璃层的工艺。 首先将硅酸盐玻璃层沉积到诸如半导体晶片的衬底上。 然后将晶片放置在热处理室中并在反应气体存在下加热。 将该物体加热至足以使硅酸玻璃玻璃回流的温度。 在一个实施例中，包含在处理室内的气氛包括与反应气体组合的蒸汽。 反应气体可以是例如氢，氧，氮，二氧化氮，臭氧，过氧化氢，原子和/或分子氢，或其基团或其混合物。

公开(公告)号：USD448872S1

公开(公告)日：2001-10-02

申请号：US29140917

申请日：2001-04-25

申请人： Dave Clarke ,  Ernst Simon ,  Emmanuel Boissier ,  Aris Nicols ,  Bengt Nestell ,  Jae H. Choi

设计人： Dave Clarke ,  Ernst Simon ,  Emmanuel Boissier ,  Aris Nicols ,  Bengt Nestell ,  Jae H. Choi