公开(公告)号：US20080198885A1

公开(公告)日：2008-08-21

申请号：US12028055

申请日：2008-02-08

申请人： Richard BEANLAND ,  Stephen Jones ,  Ian Juland

发明人： Richard BEANLAND ,  Stephen Jones ,  Ian Juland

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01S5/00 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01S5/042 ,  H01L31/022408 ,  H01S5/22

摘要： A metallization on a semiconductor substrate is disclosed in the form of a laminate comprising a plurality of layers of a “conducting” metallization for providing electrical conductivity, interspersed with a plurality of layers of another metallization. By providing many layers the thickness of each individual layer can be reduced. Reduction in thickness of each layer leads to a reduction in grain size and a consequent reduction in creep over the lifetime of a device.

摘要翻译： 公开了半导体衬底上的金属化，其形式为包括多层用于提供导电性的“导电”金属化层的层叠体，散布有多个另一金属化层。 通过提供许多层，可以减少每个单独层的厚度。 每个层的厚度的减小导致晶粒尺寸的减小以及随之而来的器件寿命期间的蠕变减小。