公开(公告)号：US20080206934A1

公开(公告)日：2008-08-28

申请号：US11678327

申请日：2007-02-23

申请人： Robert E. Jones ,  Rickey S. Brownson

发明人： Robert E. Jones ,  Rickey S. Brownson

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66795

摘要： A semiconductor device is made by steps of removing portions of a first capping layer, removing portions of a sacrificial layer, recessing sidewalls, and forming fin structures. The step of removing portions of the first capping layer forms a first capping structure that covers portions of the sacrificial layer. The step of removing portions of the sacrificial layer removes portions of the sacrificial layer that are not covered by the first capping structure to define an intermediate structure. The step of recessing the sidewalls recesses sidewalls of the intermediate structure relative to edge regions of the first capping structure to form a sacrificial structure having recessed sidewalls. The step of forming fin structures forms fin structures adjacent to the recessed sidewalls.

摘要翻译： 半导体器件通过去除第一覆盖层的部分，去除牺牲层的部分，凹陷侧壁和形成鳍结构的步骤制成。 去除第一覆盖层的部分的步骤形成覆盖牺牲层的部分的第一封盖结构。 去除牺牲层的部分的步骤去除牺牲层的不被第一封盖结构覆盖以限定中间结构的部分。 凹陷侧壁的中间结构的侧壁相对于第一封盖结构的边缘区域凹陷的步骤形成具有凹陷侧壁的牺牲结构。 形成翅片结构的步骤形成与凹陷侧壁相邻的翅片结构。

公开(公告)号：US07851340B2

公开(公告)日：2010-12-14

申请号：US11678322

申请日：2007-02-23

申请人： Rickey S. Brownson ,  Robert E. Jones

发明人： Rickey S. Brownson ,  Robert E. Jones

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66795

摘要： There is a method for forming a semiconductor device. Portions of a sacrificial layer are removed to expose a first seed layer region. The first seed layer region corresponds to a first semiconductor region, and a remaining portion of the sacrificial layer corresponds to a second semiconductor region. An epitaxial semiconductor material is deposited over the first seed layer region. A capping layer is formed to overlie the epitaxial semiconductor material and the remaining portion of the sacrificial layer. Portions of the capping layer are removed to form a capping structure that overlies a part of the remaining portion of the sacrificial layer. Portions of the sacrificial layer not covered by the capping structure are removed to form a sacrificial structure having sidewalls. Fin structures are formed adjoining the sidewalls by depositing a semiconductor material along the sidewalls. Portions of the capping structure are removed to expose portions of sacrificial layer between adjacent fin structures. Portions of the sacrificial material between the adjacent fin structures are removed.

摘要翻译： 存在形成半导体器件的方法。 去除牺牲层的一部分以露出第一种子层区域。 第一籽晶层区域对应于第一半导体区域，牺牲层的剩余部分对应于第二半导体区域。 外延半导体材料沉积在第一籽晶层区域上。 形成盖层以覆盖外延半导体材料和牺牲层的剩余部分。 去除覆盖层的部分以形成覆盖在牺牲层的剩余部分的一部分上的封盖结构。 去除了不被封盖结构覆盖的牺牲层的部分以形成具有侧壁的牺牲结构。 通过沿着侧壁沉积半导体材料而形成邻接侧壁的翅片结构。 去除部分封盖结构以暴露相邻鳍结构之间的牺牲层的部分。 去除相邻鳍结构之间牺牲材料的部分。

公开(公告)号：US07772048B2

公开(公告)日：2010-08-10

申请号：US11678327

申请日：2007-02-23

申请人： Robert E. Jones ,  Rickey S. Brownson

发明人： Robert E. Jones ,  Rickey S. Brownson

IPC分类号： H01L21/8232

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66795

摘要： A semiconductor device is made by steps of removing portions of a first capping layer, removing portions of a sacrificial layer, recessing sidewalls, and forming fin structures. The step of removing portions of the first capping layer forms a first capping structure that covers portions of the sacrificial layer. The step of removing portions of the sacrificial layer removes portions of the sacrificial layer that are not covered by the first capping structure to define an intermediate structure. The step of recessing the sidewalls recesses sidewalls of the intermediate structure relative to edge regions of the first capping structure to form a sacrificial structure having recessed sidewalls. The step of forming fin structures forms fin structures adjacent to the recessed sidewalls.

摘要翻译： 半导体器件通过去除第一覆盖层的部分，去除牺牲层的部分，凹陷侧壁和形成鳍结构的步骤制成。 去除第一覆盖层的部分的步骤形成覆盖牺牲层的部分的第一封盖结构。 去除牺牲层的部分的步骤去除牺牲层的不被第一封盖结构覆盖以限定中间结构的部分。 凹陷侧壁的中间结构的侧壁相对于第一封盖结构的边缘区域凹陷的步骤形成具有凹陷侧壁的牺牲结构。 形成翅片结构的步骤形成与凹陷侧壁相邻的翅片结构。

公开(公告)号：US20080206933A1

公开(公告)日：2008-08-28

申请号：US11678322

申请日：2007-02-23

申请人： Rickey S. Brownson ,  Robert E. Jones

发明人： Rickey S. Brownson ,  Robert E. Jones

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66795

摘要： There is a method for forming a semiconductor device. Portions of a sacrificial layer are removed to expose a first seed layer region. The first seed layer region corresponds to a first semiconductor region, and a remaining portion of the sacrificial layer corresponds to a second semiconductor region. An epitaxial semiconductor material is deposited over the first seed layer region. A capping layer is formed to overlie the epitaxial semiconductor material and the remaining portion of the sacrificial layer. Portions of the capping layer are removed to form a capping structure that overlies a part of the remaining portion of the sacrificial layer. Portions of the sacrificial layer not covered by the capping structure are removed to form a sacrificial structure having sidewalls. Fin structures are formed adjoining the sidewalls by depositing a semiconductor material along the sidewalls. Portions of the capping structure are removed to expose portions of sacrificial layer between adjacent fin structures. Portions of the sacrificial material between the adjacent fin structures are removed.

摘要翻译： 存在形成半导体器件的方法。 去除牺牲层的一部分以露出第一种子层区域。 第一籽晶层区域对应于第一半导体区域，牺牲层的剩余部分对应于第二半导体区域。 外延半导体材料沉积在第一籽晶层区域上。 形成盖层以覆盖外延半导体材料和牺牲层的剩余部分。 去除覆盖层的一部分以形成覆盖牺牲层的剩余部分的一部分的封盖结构。 去除了不被封盖结构覆盖的牺牲层的部分以形成具有侧壁的牺牲结构。 通过沿着侧壁沉积半导体材料而形成邻接侧壁的翅片结构。 去除部分封盖结构以暴露相邻鳍结构之间的牺牲层的部分。 去除相邻鳍结构之间牺牲材料的部分。

公开(公告)号：US5798568A

公开(公告)日：1998-08-25

申请号：US703223

申请日：1996-08-26

申请人： David A. Abercrombie ,  Rickey S. Brownson ,  Michael R. Cherniawski

发明人： David A. Abercrombie ,  Rickey S. Brownson ,  Michael R. Cherniawski

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L23/5283 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53223 ,  H01L2924/0002

摘要： A method of manufacturing a semiconductor component with a multi-level interconnect system includes providing a substrate (11), fabricating a device (12) in the substrate (11), forming an interconnect layer (15) over the substrate (11), depositing a dielectric layer (20) over the interconnect layer (15), depositing a separate interconnect layer (21) over the dielectric layer (20), etching a via (31) in the separate interconnect layer (21) and in the dielectric layer (20), and depositing a different interconnect layer (40) over the separate interconnect layer (21) and in the via (31) wherein the another interconnect layer (40) electrically couples the interconnect layer (15) and the separate interconnect layer (21).

摘要翻译： 一种制造具有多级互连系统的半导体部件的方法包括：提供衬底（11），在衬底（11）中制造器件（12），在衬底（11）上形成互连层（15），沉积 在所述互连层（15）上的电介质层（20），在所述电介质层（20）上沉积单独的互连层（21），蚀刻所述单独的互连层（21）和介电层 20），以及在所述分离的互连层（21）上和所述通孔（31）中沉积不同的互连层（40），其中所述另一互连层（40）将所述互连层（15）和所述分离的互连层 ）。

公开(公告)号：US5937324A

公开(公告)日：1999-08-10

申请号：US41646

申请日：1998-03-13

申请人： David A. Abercrombie ,  Rickey S. Brownson ,  Michael R. Cherniawski

发明人： David A. Abercrombie ,  Rickey S. Brownson ,  Michael R. Cherniawski

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L23/5283 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53223 ,  H01L2924/0002

摘要： A method of manufacturing a semiconductor component with a multi-level interconnect system includes providing a substrate (11), fabricating a device (12) in the substrate (11), forming an interconnect layer (15) over the substrate (11), depositing a dielectric layer (20) over the interconnect layer (15), depositing a separate interconnect layer (21) over the dielectric layer (20), etching a via (31) in the separate interconnect layer (21) and in the dielectric layer (20), and depositing a different interconnect layer (40) over the separate interconnect layer (21) and in the via (31) wherein the another interconnect layer (40) electrically couples the interconnect layer (15) and the separate interconnect layer (21).

摘要翻译： 一种制造具有多级互连系统的半导体部件的方法包括：提供衬底（11），在衬底（11）中制造器件（12），在衬底（11）上形成互连层（15），沉积 在所述互连层（15）上的电介质层（20），在所述电介质层（20）上沉积单独的互连层（21），蚀刻所述单独的互连层（21）和介电层 20），以及在所述分离的互连层（21）上和所述通孔（31）中沉积不同的互连层（40），其中所述另一互连层（40）将所述互连层（15）和所述分离的互连层 ）。