公开(公告)号：US07247227B2

公开(公告)日：2007-07-24

申请号：US09960912

申请日：2001-09-21

申请人： Robert J. Hanson ,  Won-Joo Kim ,  Mike E. Pugh

发明人： Robert J. Hanson ,  Won-Joo Kim ,  Mike E. Pugh

IPC分类号： C25D11/04 ,  C23C28/00

CPC分类号： H01J29/085 ,  G02F1/13439 ,  H01J9/20 ,  H01J31/127 ,  H01J2329/08 ,  H01J2329/865 ,  H01L51/5206

摘要： In devices such as flat panel displays, an aluminum oxide layer is provided between an aluminum layer and an ITO layer when such materials would otherwise be in contact to protect the ITO from optical and electrical defects sustained, for instance, during anodic bonding and other fabrication steps. This aluminum oxide barrier layer is preferably formed either by: (1) partially or completely anodizing an aluminum layer formed over the ITO layer, or (2) an in situ process forming aluminum oxide either over the ITO layer or over an aluminum layer formed on the ITO layer. After either of these processes, an aluminum layer is then formed over the aluminum oxide layer.

摘要翻译： 在诸如平板显示器的器件中，当这样的材料将被接触以保护ITO免受例如在阳极接合和其它制造期间的光学和电学缺陷时，在铝层和ITO层之间提供氧化铝层 脚步。 这种氧化铝阻挡层优选地通过以下方式形成：（1）部分或完全地阳极氧化形成在ITO层上的铝层，或者（2）在ITO层上或在形成在ITO层上的铝层上形成氧化铝的原位工艺 ITO层。 在这些工艺中的任一种之后，然后在氧化铝层上形成铝层。

公开(公告)号：US06471879B2

公开(公告)日：2002-10-29

申请号：US09960818

申请日：2001-09-21

申请人： Robert J. Hanson ,  Won-Joo Kim ,  Mike E. Pugh

发明人： Robert J. Hanson ,  Won-Joo Kim ,  Mike E. Pugh

IPC分类号： B29D1100

CPC分类号： H01J29/085 ,  G02F1/13439 ,  H01J9/20 ,  H01J31/127 ,  H01J2329/08 ,  H01J2329/865 ,  H01L51/5206

摘要： In devices such as flat panel displays, an aluminum oxide layer is provided between an aluminum layer and an ITO layer when such materials would otherwise be in contact to protect the ITO from optical and electrical defects sustained, for instance, during anodic bonding and other fabrication steps. This aluminum oxide barrier layer is preferably formed either by: (1) partially or completely anodizing an aluminum layer formed over the ITO layer, or (2) an in situ process forming aluminum oxide either over the ITO layer or over an aluminum layer formed on the ITO layer. After either of these processes, an aluminum layer is then formed over the aluminum oxide layer.

摘要翻译： 在诸如平板显示器的器件中，当这样的材料将被接触以保护ITO免受例如在阳极接合和其它制造期间的光学和电学缺陷时，在铝层和ITO层之间提供氧化铝层 脚步。 这种氧化铝阻挡层优选地通过以下方式形成：（1）部分或完全地阳极氧化形成在ITO层上的铝层，或者（2）在ITO层上或在形成在ITO层上的铝层上形成氧化铝的原位工艺 ITO层。 在这些工艺中的任一种之后，然后在氧化铝层上形成铝层。

公开(公告)号：US06322712B1

公开(公告)日：2001-11-27

申请号：US09387910

申请日：1999-09-01

申请人： Robert J. Hanson ,  Won-Joo Kim ,  Mike E. Pugh

发明人： Robert J. Hanson ,  Won-Joo Kim ,  Mike E. Pugh

IPC分类号： B29D900

CPC分类号： H01J29/085 ,  G02F1/13439 ,  H01J9/20 ,  H01J31/127 ,  H01J2329/08 ,  H01J2329/865 ,  H01L51/5206

摘要： In devices such as flat panel displays, an aluminum oxide layer is provided between an aluminum layer and an ITO layer when such materials would otherwise be in contact to protect the ITO from optical and electrical defects sustained, for instance, during anodic bonding and other fabrication steps. This aluminum oxide barrier layer is preferably formed either by: (1) partially or completely anodizing an aluminum layer formed over the ITO layer, or (2) an in situ process forming aluminum oxide either over the ITO layer or over an aluminum layer formed on the ITO layer. After either of these processes, an aluminum layer is then formed over the aluminum oxide layer.

摘要翻译： 在诸如平板显示器的器件中，当这样的材料将被接触以保护ITO免受例如在阳极接合和其它制造期间的光学和电学缺陷时，在铝层和ITO层之间提供氧化铝层 脚步。 这种氧化铝阻挡层优选地通过以下方式形成：（1）部分或完全地阳极氧化形成在ITO层上的铝层，或者（2）在ITO层上或在形成在ITO层上的铝层上形成氧化铝的原位工艺 ITO层。 在这些工艺中的任一种之后，然后在氧化铝层上形成铝层。