公开(公告)号：US20150179826A1

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：US14274084

申请日：2014-05-09

申请人： SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.

发明人： Chang Su JANG ,  Yoon Seong KIM ,  Kyu Hyun MO ,  Dong Soo SEO ,  Jae Kyu SUNG

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/66143 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/872

摘要： A diode device may include: a first semiconductor area having a first conductivity type; a second semiconductor area having a second conductivity type, provided on the first semiconductor area and having a uniform impurity density; a trench provided to pass through the second semiconductor area to contact the first semiconductor area; and a first metal layer provided on surfaces of the trench and the second semiconductor area.

摘要翻译： 二极管器件可以包括：具有第一导电类型的第一半导体区域; 具有第二导电类型的第二半导体区域，设置在第一半导体区域上并具有均匀的杂质密度; 设置成通过所述第二半导体区域以与所述第一半导体区域接触的沟槽; 以及设置在所述沟槽和所述第二半导体区域的表面上的第一金属层。