公开(公告)号：US09110316B2

公开(公告)日：2015-08-18

申请号：US13690749

申请日：2012-11-30

申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD ,  FACTORY OF NEW MATERIALS LLC

发明人： Andrey Anatolevich Eliseev ,  Nina Aleksandrovna Sapoletova ,  Kirill Sergeevich Napolskiy ,  Andrey Anatolevich Grunin ,  Andrey Anatolevich Fedyanin

IPC分类号： G02F1/09 ,  G02F1/03 ,  G02F1/07 ,  G02F1/00 ,  C25D1/00 ,  C25D1/04 ,  C25D1/08

CPC分类号： G02F1/09 ,  C25D1/00 ,  C25D1/006 ,  C25D1/04 ,  C25D1/08 ,  G02F1/0036 ,  G02F2202/32

摘要： A method of amplifying a magneto-optical Kerr effect by using photon crystal structures, and a photon crystal having an amplified magneto-optical Kerr effect, and a method of fabricating the photon crystal. The method of amplifying a magneto-optical Kerr effect by using photon crystal structures includes amplifying the magneto-optical Kerr effect by fabricating a magnetic photon crystal including a crystal magnet and using a periodically-structured surface of the crystal magnet.

摘要翻译： 使用光子晶体结构放大磁光克尔效应的方法和具有放大的磁光克尔效应的光子晶体以及制造该光子晶体的方法。 通过使用光子晶体结构来放大磁光克尔效应的方法包括通过制造包括晶体磁体的磁光子晶体并使用晶体磁体的周期性结构的表面来放大磁光克尔效应。