公开(公告)号：US20130248990A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：US13718138

申请日：2012-12-18

Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Inventor： Ho-Jun KIM ,  Hae-Wang LEE ,  Chul-Hong PARK ,  Dong-Kyun SOHN ,  Jong-Shik YOON

IPC: H01L23/538 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L23/5384 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L29/7827 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Semiconductor devices, and a method for fabricating the same, include an interlayer dielectric film pattern over a substrate, a first wiring within the interlayer dielectric film pattern and having a first length in a first direction, a second wiring within the interlayer dielectric film pattern and separated from the first wiring, and a spacer contacting the first wiring and the second wiring. The spacer electrically separates the first wiring and the second wiring from each other. The second wiring has a second length different from the first length in the first direction.

Abstract translation: 半导体器件及其制造方法包括在衬底上的层间电介质膜图案，层间电介质膜图案内的第一布线，并且具有第一方向的第一长度，层间电介质膜图案内的第二布线和 与第一布线分离，以及与第一布线和第二布线接触的间隔件。 间隔件将第一布线和第二布线彼此电分离。 第二布线具有与第一方向上的第一长度不同的第二长度。