公开(公告)号：US20140120681A1

公开(公告)日：2014-05-01

申请号：US13922571

申请日：2013-06-20

Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Inventor： Chong-Kwang CHANG ,  Se-Young LEE ,  Seung-Ho CHAE

IPC: H01L29/66

CPC classification number: H01L29/4983 ,  H01L23/485 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A method of fabricating a semiconductor device includes forming a gate electrode structure on a substrate, forming a first spacer material layer covering the gate electrode structure, forming a second spacer material layer covering the first spacer material layer, and etching the first and second spacer material layers using an etch-back process to form first and second spacers.

Abstract translation: 制造半导体器件的方法包括在衬底上形成栅电极结构，形成覆盖栅电极结构的第一间隔材料层，形成覆盖第一间隔材料层的第二间隔材料层，以及蚀刻第一和第二间隔物材料 使用回蚀工艺形成第一和第二间隔物的层。