公开(公告)号：US06362049B1

公开(公告)日：2002-03-26

申请号：US09435213

申请日：1999-11-05

申请人： Salvatore F. Cagnina ,  Hao Fang ,  John Jianshi Wang ,  Kent Kuohua Chang ,  Masaatzi Higashitani

发明人： Salvatore F. Cagnina ,  Hao Fang ,  John Jianshi Wang ,  Kent Kuohua Chang ,  Masaatzi Higashitani

IPC分类号： H01L21336

CPC分类号： H01L27/11526 ,  H01L27/11546

摘要： A semiconductor process for fabricating NAND type flash memory devices in a first embodiment includes step which can be performed on a production line which manufactures NOR type flash memory products. A NAND flash memory fabrication process according to a second embodiment simplifies the process and uses fewer masks, thus reducing costs and errors to produce higher yields.

摘要翻译： 在第一实施例中用于制造NAND型闪速存储器件的半导体工艺包括可以在制造NOR型闪存产品的生产线上执行的步骤。 根据第二实施例的NAND闪存制造工艺简化了处理并且使用较少的掩模，从而降低成本和错误以产生更高的产量。