公开(公告)号：US5683938A

公开(公告)日：1997-11-04

申请号：US327887

申请日：1994-10-24

申请人： Sang Young Kim ,  Yung Wook Song ,  Hun Do Kim

发明人： Sang Young Kim ,  Yung Wook Song ,  Hun Do Kim

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/76879

摘要： Method for filling contact holes with metals by two-step deposition of selective tungsten layer is disclosed. The selective tungsten thin films are deposited in two steps, thus maximizing the contact filling with tungsten, gaining a stability of metal wires with better step coverage, and enhancing the reliability on semiconductor element.

摘要翻译： 公开了通过选择性钨层的两步沉积来用金属填充接触孔的方法。 选择性钨薄膜以两个步骤沉积，从而最大化与钨的接触填充，获得更好的步骤覆盖的金属线的稳定性，并提高半导体元件的可靠性。