公开(公告)号：US20130023119A1

公开(公告)日：2013-01-24

申请号：US13488478

申请日：2012-06-05

申请人： Sang-Jine Park ,  Kee-Sang Kwon ,  Doo-Sung Yun ,  Bo-Un Yoon ,  Il- Young Yoon ,  Jeong-Nam Han

发明人： Sang-Jine Park ,  Kee-Sang Kwon ,  Doo-Sung Yun ,  Bo-Un Yoon ,  Il- Young Yoon ,  Jeong-Nam Han

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76808 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76816

摘要： In a method for fabricating a semiconductor device, a substrate is provided including an interlayer dielectric layer and first and second hard mask patterns sequentially stacked thereon. A first trench is provided in the interlayer dielectric layer through the second hard mask pattern and the first hard mask pattern. A filler material is provided on the interlayer dielectric layer and the second hard mask pattern to fill the first trench. An upper portion of the second hard mask pattern is exposed by partially removing the filler material. The second hard mask pattern is removed, and remaining filler material is removed from the first trench. A wiring is formed by filling the first trench with a conductive material.

摘要翻译： 在制造半导体器件的方法中，提供了包括层间介电层和顺序堆叠在其上的第一和第二硬掩模图案的衬底。 第一沟槽通过第二硬掩模图案和第一硬掩模图案设置在层间介质层中。 在层间介电层和第二硬掩模图案上设置填充材料以填充第一沟槽。 通过部分去除填充材料来暴露第二硬掩模图案的上部。 去除第二硬掩模图案，并且从第一沟槽去除剩余的填充材料。 通过用导电材料填充第一沟槽来形成布线。