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    SEMICONDUCTOR DEVICE
    1.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
    半导体器件

    公开(公告)号：US20160233144A1

    公开(公告)日：2016-08-11

    申请号：US14961259

    申请日：2015-12-07

    申请人： Sang-Woo Pae ,  Jong-Wook Jeon ,  Seung-Jin Choo ,  Hyun-Chul Sagong ,  Jae-Hee Choi

    发明人： Sang-Woo Pae ,  Jong-Wook Jeon ,  Seung-Jin Choo ,  Hyun-Chul Sagong ,  Jae-Hee Choi

    IPC分类号： H01L23/373 ,  H01L29/36 ,  H01L23/367 ,  H01L29/10 ,  H01L27/088

    CPC分类号： H01L23/3738 ,  H01L21/823431 ,  H01L23/367 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/1041 ,  H01L29/105 ,  H01L29/36

    摘要： A semiconductor device includes a first fin pattern, which includes a first lower pattern and a first upper pattern stacked sequentially on a substrate, the first upper pattern including a first part and second parts respectively disposed on both sides of the first part, a gate electrode, which is formed on the first part to intersect the first fin pattern, and source/drain regions, which are formed on the second parts, respectively. A dopant concentration of the first upper pattern is higher than a dopant concentration of the first lower pattern and a dopant concentration of the substrate, and the dopant concentration of the first lower pattern is different from the dopant concentration of the substrate.

    摘要翻译： 半导体器件包括：第一鳍状图案，其包括依次堆叠在基底上的第一下部图案和第一上部图案，第一上部图案包括分别设置在第一部分的两侧的第一部分和第二部分，栅电极 ，其形成在第一部分上以与第一部分相对的第一鳍状图案和源极/漏极区域之间形成。 第一上图案的掺杂剂浓度高于第一下图案的掺杂剂浓度和衬底的掺杂剂浓度，并且第一下图案的掺杂剂浓度不同于衬底的掺杂剂浓度。