利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

77 条记录 (耗时 0.021 秒)

    Local interconnect structures for integrated circuits and methods for making the same
    5.
    发明授权
    Local interconnect structures for integrated circuits and methods for making the same 失效
    用于集成电路的局部互连结构及其制造方法

    公开(公告)号：US06693025B2

    公开(公告)日：2004-02-17

    申请号：US09943994

    申请日：2001-08-30

    申请人： Sanh D. Tang ,  Michael P. Violette

    发明人： Sanh D. Tang ,  Michael P. Violette

    IPC分类号： H01L2128

    CPC分类号： G01R31/3648 ,  G01R31/3665 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/535 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A method for making a flexible metal silicide local interconnect structure. The method includes forming an amorphous or polycrystalline silicon layer on a substrate including at least one gate structure, forming a layer of silicon nitride over the silicon layer, removing a portion of the silicon nitride layer, oxidizing the exposed portion of the silicon layer, removing the remaining portion of the silicon nitride layer, optionally removing the oxidized silicon layer, forming a metal layer over the resulting structure, annealing the metal layer in an atmosphere comprising nitrogen, and removing any metal nitride regions. The local metal silicide interconnect structure may overlie the at least one gate structure. The methods better protect underlying silicon regions (e.g., substrate), as well as form TiSix local interconnects with good step coverage. Intermediate and resulting structures are also disclosed.

    摘要翻译： 一种制造柔性金属硅化物局部互连结构的方法。 该方法包括在包括至少一个栅极结构的衬底上形成非晶或多晶硅层，在硅层上形成氮化硅层，去除氮化硅层的一部分，氧化硅层的暴露部分，去除 氮化硅层的剩余部分，任选地去除氧化硅层，在所得结构上形成金属层，在包含氮的气氛中退火金属层，并去除任何金属氮化物区域。 局部金属硅化物互连结构可以覆盖至少一个栅极结构。 这些方法更好地保护底层硅区域（例如底层），以及形成具有良好阶梯覆盖的TiSix局部互连。 还公开了中间和结构的结构。

    Local interconnect structures for integrated circuits and methods for making the same
    10.
    发明授权
    Local interconnect structures for integrated circuits and methods for making the same 有权
    用于集成电路的局部互连结构及其制造方法

    公开(公告)号：US06429124B1

    公开(公告)日：2002-08-06

    申请号：US09291762

    申请日：1999-04-14

    申请人： Sanh D. Tang ,  Michael P. Violette

    发明人： Sanh D. Tang ,  Michael P. Violette

    IPC分类号： H01L214763

    CPC分类号： G01R31/3648 ,  G01R31/3665 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/535 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A method for making a flexible metal silicide local interconnect structure. The method includes forming an amorphous or polycrystalline silicon layer on a substrate including at least one gate structure, forming a layer of silicon nitride over the silicon layer, removing a portion of the silicon nitride layer, oxidizing the exposed portion of the silicon layer, removing the remaining portion of the silicon nitride layer, optionally removing the oxidized silicon layer, forming a metal layer over the resulting structure, annealing the metal layer in an atmosphere comprising nitrogen, and removing any metal nitride regions. The local metal silicide interconnect structure may overlie the at least one gate structure. The methods better protect underlying silicon regions (e.g., substrate), as well as form TiSix local interconnects with good step coverage.

    摘要翻译： 一种制造柔性金属硅化物局部互连结构的方法。 该方法包括在包括至少一个栅极结构的衬底上形成非晶或多晶硅层，在硅层上形成氮化硅层，去除氮化硅层的一部分，氧化硅层的暴露部分，去除 氮化硅层的剩余部分，任选地去除氧化硅层，在所得结构上形成金属层，在包含氮的气氛中退火金属层，并去除任何金属氮化物区域。 局部金属硅化物互连结构可以覆盖至少一个栅极结构。 这些方法更好地保护底层硅区域（例如底层），以及形成具有良好阶梯覆盖的TiSix局部互连。