公开(公告)号：US07065689B2

公开(公告)日：2006-06-20

申请号：US10602377

申请日：2003-06-24

申请人： Sau-Kwo Chiu ,  Jen-Chieh Yeh ,  Kuo-Liang Cheng ,  Chih-Tsun Huang ,  Cheng-Wen Wu

发明人： Sau-Kwo Chiu ,  Jen-Chieh Yeh ,  Kuo-Liang Cheng ,  Chih-Tsun Huang ,  Cheng-Wen Wu

IPC分类号： G11C29/00 ,  G11C7/00 ,  G06F12/16

CPC分类号： G11C29/10 ,  G11C16/04

摘要： The present invention discloses a diagonal testing method for flash memories. The testing method regards the flash memory as several squares, and executes in the direction from top to bottom and from left to right. Each square is provided with a first diagonal in −45 degrees from the upper left to the lower right, and a second diagonal in +45 degrees from the lower left to the upper right. The present invention is to program the cells in the first diagonal or the second diagonal, and then read the cells except the first diagonal or the second diagonal; or, program the cells except the first diagonal or the second diagonal, and then read the cells in the first diagonal or the second diagonal so as to detect the disturb fault in the flash memories and normal memory fault models.

摘要翻译： 本发明公开了一种闪存的对角线测试方法。 测试方法将闪存存储为几个方格，并从上到下，从左到右的方向执行。 每个正方形设有从左上到右下的-45度的第一个对角线，以及从左下到右上的+45度的第二个对角线。 本发明是对第一对角线或第二对角线中的单元进行编程，然后读取第一对角线或第二对角线以外的单元; 或者，对第一对角线或第二对角线以外的单元进行编程，然后读取第一对角线或第二对角线中的单元，以便检测闪速存储器和正常存储器故障模型中的干扰故障。