公开(公告)号：US08721905B2

公开(公告)日：2014-05-13

申请号：US13431516

申请日：2012-03-27

申请人： Se-Hwan Yu ,  Ji Seon Lee ,  Yoon Ho Khang ,  Kahp Yang Suh ,  Hyoung Sick Um ,  Jae Jun Chae ,  Sung Hun Lee

发明人： Se-Hwan Yu ,  Ji Seon Lee ,  Yoon Ho Khang ,  Kahp Yang Suh ,  Hyoung Sick Um ,  Jae Jun Chae ,  Sung Hun Lee

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

摘要： A method for forming a minute pattern mask includes forming an etching target layer on a substrate. A convex pattern including a plurality of convex parts is formed on the etching target layer. A resin composition is coated on the convex pattern to form a resin layer including a first region neighboring the convex part and a second region positioned between the neighboring convex parts. The resin layer is ashed or etched to form the plurality of first resin patterns. The plurality of first resin patterns is processed to form a minute pattern mask including a plurality of second resin patterns. The etching target layer is etched using the plurality of second resin patterns as an etch mask to form a minute pattern.

摘要翻译： 形成微图案掩模的方法包括在基板上形成蚀刻目标层。 在蚀刻目标层上形成包括多个凸部的凸形图案。 将树脂组合物涂覆在凸形图案上以形成包括邻近凸部的第一区域和位于相邻凸部之间的第二区域的树脂层。 树脂层被灰化或蚀刻以形成多个第一树脂图案。 处理多个第一树脂图案以形成包括多个第二树脂图案的微小图案掩模。 使用多个第二树脂图案作为蚀刻掩模蚀刻蚀刻目标层以形成微小图案。

公开(公告)号：US20130098869A1

公开(公告)日：2013-04-25

申请号：US13431516

申请日：2012-03-27

申请人： Se-Hwan Yu ,  Ji Seon Lee ,  Yoon Ho Khang ,  Kahp Yang Suh ,  Hyoung Sick Um ,  Jae Jun Chae ,  Sung Hun Lee

发明人： Se-Hwan Yu ,  Ji Seon Lee ,  Yoon Ho Khang ,  Kahp Yang Suh ,  Hyoung Sick Um ,  Jae Jun Chae ,  Sung Hun Lee

IPC分类号： B44C1/22

CPC分类号： G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

摘要： A method for forming a minute pattern mask includes forming an etching target layer on a substrate. A convex pattern including a plurality of convex parts is formed on the etching target layer. A resin composition is coated on the convex pattern to form a resin layer including a first region neighboring the convex part and a second region positioned between the neighboring convex parts. The resin layer is ashed or etched to form the plurality of first resin patterns. The plurality of first resin patterns is processed to form a minute pattern mask including a plurality of second resin patterns. The etching target layer is etched using the plurality of second resin patterns as an etch mask to form a minute pattern.

摘要翻译： 形成微图案掩模的方法包括在基板上形成蚀刻目标层。 在蚀刻目标层上形成包括多个凸部的凸形图案。 将树脂组合物涂覆在凸形图案上以形成包括邻近凸部的第一区域和位于相邻凸部之间的第二区域的树脂层。 树脂层被灰化或蚀刻以形成多个第一树脂图案。 处理多个第一树脂图案以形成包括多个第二树脂图案的微小图案掩模。 使用多个第二树脂图案作为蚀刻掩模蚀刻蚀刻目标层以形成微小图案。