公开(公告)号：US20060133174A1

公开(公告)日：2006-06-22

申请号：US11270711

申请日：2005-11-08

申请人： Seong-Il Kim ,  Yong-Tae Kim ,  Young-Hwan Kim ,  Chun-Keun Kim ,  Min-Soo Youm

发明人： Seong-Il Kim ,  Yong-Tae Kim ,  Young-Hwan Kim ,  Chun-Keun Kim ,  Min-Soo Youm

IPC分类号： G11C7/00

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/128 ,  H01L45/1675

摘要： Provided is a phase-change RAM containing a substrate, a lower electrode, a phase-change material, an upper electrode and a thermal dissipation layer, wherein the thermal dissipation layer contains an aluminum-nitride thermal dissipation layer having a high heat conductivity, and the lower electrode contains a titanium-nitride electrode which generates a great amount of heat generated using a small amount of current and has a low heat conductivity, whereby heat generated between the phase-change material and the electrode is not transferred to the interior of a device but fast dissipated to the exterior thereof, so as to enable a high speed operation using low current and improve reliability of the device.

摘要翻译： 提供了一种包含基板，下电极，相变材料，上电极和散热层的相变RAM，其中散热层包含具有高导热性的氮化铝散热层，以及 下电极含有氮化钛电极，其产生使用少量电流产生的大量热量并且具有低导热性，由此在相变材料和电极之间产生的热量不会转移到 器件，但是快速消散到其外部，以便能够使用低电流的高速操作并且提高器件的可靠性。

公开(公告)号：US07307269B2

公开(公告)日：2007-12-11

申请号：US11270711

申请日：2005-11-08

申请人： Seong-Il Kim ,  Yong-Tae Kim ,  Young-Hwan Kim ,  Chun-Keun Kim ,  Min-Soo Youm

发明人： Seong-Il Kim ,  Yong-Tae Kim ,  Young-Hwan Kim ,  Chun-Keun Kim ,  Min-Soo Youm

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/128 ,  H01L45/1675

摘要： Provided is a phase-change RAM containing a substrate, a lower electrode, a phase-change material, an upper electrode and a thermal dissipation layer, wherein the thermal dissipation layer contains an aluminum-nitride thermal dissipation layer having a high heat conductivity, and the lower electrode contains a titanium-nitride electrode which generates a great amount of heat generated using a small amount of current and has a low heat conductivity, whereby heat generated between the phase-change material and the electrode is not transferred to the interior of a device but fast dissipated to the exterior thereof, so as to enable a high speed operation using low current and improve reliability of the device.

摘要翻译： 提供了一种包含基板，下电极，相变材料，上电极和散热层的相变RAM，其中散热层包含具有高导热性的氮化铝散热层，以及 下电极含有氮化钛电极，其产生使用少量电流产生的大量热量并且具有低导热性，由此在相变材料和电极之间产生的热量不会转移到 器件，但是快速消散到其外部，以便能够使用低电流的高速操作并且提高器件的可靠性。