公开(公告)号：US5286334A

公开(公告)日：1994-02-15

申请号：US779677

申请日：1991-10-21

申请人： Shahzad Akbar ,  Jack O. Chu ,  Brian Cunningham ,  Gregory Fitzgibbon ,  Somnuk Ratanaphanyarat

发明人： Shahzad Akbar ,  Jack O. Chu ,  Brian Cunningham ,  Gregory Fitzgibbon ,  Somnuk Ratanaphanyarat

IPC分类号： H01L21/205 ,  C30B25/02 ,  C30B25/00

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/08

摘要： A method of depositing Ge on a Si substrate in a reaction chamber includes the steps of: precleaning the substrate; evacuating the chamber to a pressure below 10.sup.-7 Torr; heating the substrate to 300.degree.-600.degree. C.; and providing a GeH.sub.4 /B.sub.2 H.sub.6 /He mixture of gas with a GeH.sub.4 partial pressure of 2-50 mTorr and a B.sub.2 H.sub.6 partial pressure of 0.08 to 2 mTorr.

摘要翻译： 在反应室中在Si衬底上沉积Ge的方法包括以下步骤：预清洗衬底; 将室排空至低于10-7乇的压力; 将基板加热至300度至600度; 并提供GeH4 / B2H6 / He混合气体，GeH4分压为2-50mTorr，B2H6分压为0.08〜2mTorr。