公开(公告)号：US5626967A

公开(公告)日：1997-05-06

申请号：US452589

申请日：1995-05-25

申请人： Shekhar Pramanick ,  Scott Luning ,  Jonathon Fewkes

发明人： Shekhar Pramanick ,  Scott Luning ,  Jonathon Fewkes

IPC分类号： G03F7/09 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3213 ,  H01L29/06

CPC分类号： G03F7/091 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/32137

摘要： A structure for patterning a polysilicon layer includes a TiN layer located above an amorphous silicon (a-Si) layer forming a TiN/a-Si stack. The TiN/a-Si stack is located above the polysilicon layer. The TiN layer serves as an ARC to reduce overexposure of the photoresist used to pattern the polysilicon layer, while the a-Si layer prevents contamination of the layer below the polysilicon layer.

摘要翻译： 用于图案化多晶硅层的结构包括位于形成TiN / a-Si叠层的非晶硅（a-Si）层之上的TiN层。 TiN / a-Si堆叠位于多晶硅层上方。 TiN层用作ARC以减少用于图案化多晶硅层的光刻胶的过度曝光，而a-Si层防止多晶硅层下面的层的污染。

公开(公告)号：US5854132A

公开(公告)日：1998-12-29

申请号：US346041

申请日：1994-11-29

申请人： Shekhar Pramanick ,  Scott Luning ,  Jonathon Fewkes

发明人： Shekhar Pramanick ,  Scott Luning ,  Jonathon Fewkes

IPC分类号： G03F7/09 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/465

CPC分类号： G03F7/091 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/32137

摘要： A method for patterning a polysilicon layer includes creating a TiN layer above an amorphous silicon (a-Si) layer forming a TiN/a-Si stack. The TiN/a-Si stack is formed above the polysilicon layer. The TiN layer serves as an ARC to reduce overexposure of the photoresist used to pattern the polysilicon layer, while the a-Si layer prevents contamination of the layer below the polysilicon layer.

摘要翻译： 用于图案化多晶硅层的方法包括在形成TiN / a-Si叠层的非晶硅（a-Si）层上方形成TiN层。 在多晶硅层上形成TiN / a-Si叠层。 TiN层用作ARC以减少用于图案化多晶硅层的光致抗蚀剂的过度曝光，而a-Si层防止多晶硅层下面的层被污染。