公开(公告)号：US20110233647A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：US12891310

申请日：2010-09-27

申请人： Shenqing FANG ,  Angela HUI ,  Gang XUE ,  Alexander NICKEL ,  Kashmir SAHOTA ,  Scott BELL ,  Chun CHEN ,  Wai LO

发明人： Shenqing FANG ,  Angela HUI ,  Gang XUE ,  Alexander NICKEL ,  Kashmir SAHOTA ,  Scott BELL ,  Chun CHEN ,  Wai LO

IPC分类号： H01L29/788 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/792

摘要： Methods for fabricating a semiconductor memory cell that has a spacer layer are disclosed. A method includes forming a plurality of source/drain regions in a substrate where the plurality of source/drain regions are formed between trenches, forming a first oxide layer above the plurality of source/drain regions and in the trenches, forming a charge storage layer above the oxide layer and separating the charge storage layer in the trenches where a space is formed between separated portions of the charge storage layer. The method further includes forming a spacer layer to fill the space between the separated portions of the charge storage layer and to rise a predetermined distance above the space. A second oxide layer is formed above the charge storage layer and the spacer layer and a polysilicon layer is formed above the second oxide layer.

摘要翻译： 公开了制造具有间隔层的半导体存储单元的方法。 一种方法包括在衬底中形成多个源极/漏极区域，其中多个源极/漏极区域形成在沟槽之间，在多个源极/漏极区域上方和沟槽中形成第一氧化物层，形成电荷存储层 在电荷存储层的分离部分之间，在形成空间的沟槽中分离电荷存储层。 该方法还包括形成间隔层以填充电荷存储层的分离部分之间的空间并在空间上方上升预定距离。 在电荷存储层和间隔层上方形成第二氧化物层，并且在第二氧化物层上方形成多晶硅层。

公开(公告)号：US20120181601A1

公开(公告)日：2012-07-19

申请号：US13428848

申请日：2012-03-23

申请人： Shenqing FANG ,  Angela HUI ,  Gang XUE ,  Alexander NICKEL ,  Kashmir SAHOTA ,  Scott BELL ,  Chun CHEN ,  Wai LO

发明人： Shenqing FANG ,  Angela HUI ,  Gang XUE ,  Alexander NICKEL ,  Kashmir SAHOTA ,  Scott BELL ,  Chun CHEN ,  Wai LO

IPC分类号： H01L29/792

CPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/792

摘要： Methods for fabricating a semiconductor memory cell that has a spacer layer are disclosed. A method includes forming a plurality of source/drain regions in a substrate where the plurality of source/drain regions are formed between trenches, forming a first oxide layer above the plurality of source/drain regions and in the trenches, forming a charge storage layer above the oxide layer and separating the charge storage layer in the trenches where a space is formed between separated portions of the charge storage layer. The method further includes forming a spacer layer to fill the space between the separated portions of the charge storage layer and to rise a predetermined distance above the space. A second oxide layer is formed above the charge storage layer and the spacer layer and a polysilicon layer is formed above the second oxide layer.

摘要翻译： 公开了制造具有间隔层的半导体存储单元的方法。 一种方法包括在衬底中形成多个源极/漏极区域，其中多个源极/漏极区域形成在沟槽之间，在多个源极/漏极区域上方和沟槽中形成第一氧化物层，形成电荷存储层 在电荷存储层的分离部分之间，在形成空间的沟槽中分离电荷存储层。 该方法还包括形成间隔层以填充电荷存储层的分离部分之间的空间并在空间上方上升预定距离。 在电荷存储层和间隔层上方形成第二氧化物层，并且在第二氧化物层上方形成多晶硅层。